1. 物料型号:
- WS1M8V-XCX
2. 器件简介:
- 2x512Kx8 DUALITHIC™ SRAM,具有多种访问时间(17, 20, 25, 35, 45, 55ns),支持3.3V电源供应,低功耗CMOS,TTL兼容输入输出,输出使能内部连接至地。
3. 引脚分配:
- 32引脚双列直插式封装(DIP),具体引脚功能如下:
- A0-A17:地址输入
- I/O0-I/O7:数据输入/输出
- CS#1-2:芯片选择
- WE#:写使能
- CC:+3.3V电源供应
- GND:地
4. 参数特性:
- 工作温度范围:-55℃至+125℃
- 存储温度范围:-65℃至+150℃
- 信号电压相对地:-0.5V至+4.6V
- 接点温度:最高150℃
- 供电电压:-0.5V至5.5V
5. 功能详解:
- 该器件由两个512Kx8的存储区组成,CS#1和CS#2用于选择低512Kx8和高512Kx8,不能同时启用。
- 真值表描述了CS#和WE#的不同状态以及对应的模式和数据I/O、功耗状态。
6. 应用信息:
- 适用于商业、工业和军事温度范围的应用场景。
7. 封装信息:
- 32引脚,密封陶瓷DIP封装(封装300)。