物料型号:
- WV3HG32M40SEU665PD4xxG:333MHz/667Mb/s,CAS延迟5,tRCD 5,tRP 5,典型高度30.00mm (1.181")。
- WV3HG32M40SEU534PD4xxG:266MHz/533Mb/s,CAS延迟4,tRCD 4,tRP 4,典型高度30.00mm (1.181")。
- WV3HG32M40SEU403PD4xxG:200MHz/400Mb/s,CAS延迟3,tRCD 3,tRP 3,典型高度30.00mm (1.181")。
器件简介:
WV3HG32M40SEU是一款基于512Mb DDR2 SDRAM组件的32Mx40双数据速率2 SDRAM内存模块。该模块由三个32Mx16 FBGA封装组件安装在200针SO-DIMM FR4基板上组成。支持ECC错误检测和修正,快速数据传输速率:PC2-5300、PC2-4200和PC2-3200,使用667、533和400 Mb/s DDR2 SDRAM组件。
引脚分配:
- VREF:参考电压引脚。
- VSS:地引脚。
- DQ0-DQ31:数据输入/输出引脚。
- DQS0-DQS3、DQS8:数据时钟引脚。
- DQS0#-DQS3#、DQS8#:数据时钟互补引脚。
- A0-A12:地址输入。
- RAS#、CAS#、WE#:命令输入。
- BA0、BA1:行地址输入。
- DM0-DM3、DM8:输入数据掩码。
- CK、CK#:时钟输入。
- CS0#:芯片选择。
- SCL:SPD时钟输入。
- SDA:串行数据输入/输出。
- Vcc:电源供电。
- NC:无连接。
参数特性:
- 工作电压:1.7V至1.9V。
- I/O参考电压VREF:0.49倍Vcc至0.51倍Vcc。
- I/O终止电压VTT:VREF-0.04至VREF+0.04。
- SPD供电电压VCCSPD:1.7V至3.6V。
功能详解:
该模块采用四比特预取架构,支持可编程CAS#延迟(3、4和5),可编程突发长度(4、8),片上终止(ODT)和片上内存PLL时钟。支持自动和自刷新(64ms:8,192周期刷新)。
应用信息:
该模块适用于需要高速数据传输和ECC支持的应用,如服务器、工作站和高端计算设备。
封装信息:
- 200针SO-DIMM封装。
- 典型高度30.00mm(1.181")。