物料型号:
- WV3HG64M72EEU806PD4xxG
- WV3HG64M72EEU665PD4xxG
- WV3HG64M72EEU534PD4xxG
- WV3HG64M72EEU403PD4xxG
器件简介:
WV3HG64M72EEU是一款512MB容量的DDR2 SDRAM,具有64Mx72的配置,使用200-pin SO-DIMM封装,支持PLL(相位锁定环)。该产品包含九个64Mx8位的DDR2 SDRAM在FBGA封装中,安装在200-pin SO-DIMM FR4基板上。
引脚分配:
- 引脚1至200分配给不同的信号,包括地址输入(A0-A13)、SDRAM银行地址(BA0, BA1)、数据输入/输出(DQ0-DQ63)、校验位(CB0-CB7)、数据掩码(DM0-DM8)、数据存取时间(DQS0-DQS8)、数据存取时间负信号(DQS0#-DQS8#)、片内终止控制(ODT)、时钟输入(CK, CK#)、时钟使能输入(CKE)、芯片选择输入(CS0#)、行地址选通(RAS#)、列地址选通(CAS#)、写使能(WE#)、核心电源(Vcc)、PLL输出使能(RESET#)、地(Vss)等。
参数特性:
- 支持的数据传输速率包括PC2-6400、PC2-5300、PC2-4200和PC2-3200。
- 核心电压(VCC)等于I/O电压(VCCQ),为1.8V±0.1V。
- 支持JEDEC标准的1.8V I/O(SSTL_18兼容)。
- 支持差分数据存取时间(DQS, DQS#)选项。
- 四比特预取架构。
- 支持多个内部设备银行以实现同时操作。
- 支持差分时钟输入(CK, CK#)。
- 可编程CAS#延迟(CL):3, 4, 5和6。
- 可调数据输出驱动强度和片上终止(ODT)。
- 支持串行存在检测(SPD)与EEPROM。
- 自我刷新和自动刷新功能。
功能详解:
该DDR2 SDRAM模块支持多种工作频率,包括400MHz、333MHz、266MHz和200MHz,对应的CAS延迟分别为6、5、4和3。模块还支持多种功耗模式,包括主动模式、预充电模式、自刷新模式等。
应用信息:
适用于需要高速数据传输和大容量内存的电子设备,如服务器、工作站、高端个人电脑等。
封装信息:
- 封装类型:200 Pin SO-DIMM
- 尺寸:30.00mm (1.181") TYP(典型值)