2SB1116

厂商：
WEITRON
封装：
描述：
2SB1116 - PNP General Purpose Transistor - Weitron Technology

数据手册：

下载2SB1116.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SB1116 数据手册

2SB1116/2SB1116A PNP General Purpose Transistor P b Lead(Pb)-Free 3 BASE COLLECTOR 2 1 2 1 EMITTER 3 TO-92 Maximum Ratings ( TA=25℃ unless otherwise noted) C Rating Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Continuous Symbol VCBO VCEO VEBO lC 1116 -60 -50 -6.0 1000 1116A -80 -60 -6.0 Unit V V V mA THERMAL CHARACTERISTICS Charact er ist ics Total Device Dissipation Alumina Substrate,TA=25°C Junction Temperature Storage Temperature Symbol PD TJ Tstg Max 750 Unit mW °C °C +150 -55 to +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristics Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector-Base Breakdown Voltage (lC=-100 A, lE=0) Collector-Emitter Breakdown Voltage (lC=-1mA, lB=0) Emitter-Base Breakdown Voltage (lE=-100 A, lC=0) 1116 1116A 1116 1116A 1116 1116A V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO -60 -80 -50 -60 -6.0 V V V WEITRON http://www.weitron.com.tw 1/4 22-Jan-09 2SB1116/2SB1116A ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA=25℃unless otherwise noted) (Countinued) C Characteristics Symbol Min OFF CHARACTERISTICS VCB=-60V, lE=0 VCB=-80V, lE=0 VEB=-6V, lC=0 1116 1116A lCBO lEBO -0.1 -0.1 µA Max Unit µA ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA=25℃unless otherwise noted) (Countinued) C Characteristics Symbol Min Typ ON CHARACTERISTICS DC current gain VCE=-2V, lc=-0.1A VCE=-2V, lc=-1A Collector emitter saturation voltage lC=-1A, lB=-50mA Base emitter saturation voltage lC=-1A, lB=-50mA Base emitter voltage VCE=-2V, l C=-0.05A Transition frequency VCE=-2V, l C=-0.1A Transition frequency VCB=-10V, lE=0, f=1MHz Transition frequency VCC=-10V, lC=-0.1A, lB1=-lB2=-0.01A, V Transition frequency VCC=-10V, lC=-0.1A, lB1=-lB2=-0.01A, V Transition frequency VCC=-10V, lC=-0.1A, lB1=-lB2=-0.01A, V =2 to 3V =2 to 3V =2 to 3V hFE VCE(sat) VBE(sat) VBE fT Cob ton tS tf 135 81 -0.6 70 25 0.07 0.7 0.07 Max Unit 600 -0.3 -1.2 -0.7 - V V V MHz pF µS CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range L 135-270 K 200-400 U 300-600 WEITRON http://www.weitron.com.tw 2/4 22-Jan-09 2SB1116/2SB1116A Typical Characteristics WEITRON http://www.weitron.com.tw 3/4 22-Jan-09 2SB1116/2SB1116A TO-92OutlineDimensions E unit: mm TO-92 H C J K G Dim A B C D E G H J K L Min Max 3.70 3.30 1.40 1.10 0.55 0.38 0.51 0.36 4.70 4.40 3.43 4.70 4.30 1.270T YP 2.44 2.64 14.10 14.50 B L WEITRON http://www.weitron.com.tw D A 4/4 22-Jan-09

下载 PDF

2SB1116

### 物料型号 - 型号：2SB1116/2SB1116A

### 器件简介 - 2SB1116/2SB1116A是PNP型通用晶体管，由WEITRON公司生产。

### 引脚分配 - TO-92封装：该晶体管采用TO-92封装，具有三个引脚，分别是集电极（C）、基极（B）和发射极（E）。

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：1116为-60V，1116A为-80V - 集电极-发射极电压（VCEO）：1116为-50V，1116A为-60V - 发射极-基极电压（VEBO）：-6.0V - 热特性： - 总器件耗散（PD）：750mW - 结温（TJ）：+150℃ - 存储温度（Tstg）：-55至+150℃

### 功能详解 - 电气特性： - 关断特性： - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1μA - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1A - 开启特性： - DC电流增益（hFE）：135至600 - 集电极发射饱和电压（VCE(sat)）：-0.3V - 基极发射饱和电压（VBE(sat)）：-1.2V - 基极发射电压（VBE）：-0.6至-0.7V - 转换频率（fT）：70MHz

### 应用信息 - 该晶体管适用于通用的PNP晶体管应用，如放大器、开关等。

### 封装信息 - TO-92封装尺寸： - A：3.30至3.70mm - B：1.10至1.40mm - C：0.38至0.55mm - D：0.36至0.51mm - E：4.40至4.70mm - G：3.43mm - H：4.30至4.70mm - J：1.27mm（典型值） - K：2.44至2.64mm - L：14.10至14.50mm

2SB1116 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SB1116”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SB1116

相关技术文章