2SB1197K

厂商：
WEITRON
封装：
描述：
2SB1197K - PNP General Purpose Transistors - Weitron Technology

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2SB1197K PNP 3 2 1 SC-59 V CEO Value -32 -40 -5 -800 200 1.6 625 2SB1197K=AHR -1.0 -50 -50 -32 -40 -5.0 -0.5 -0.5 u u -20 -4.0 WEITRON http://www.weitron.com.tw 2SB1197K ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min Typ Max Unit ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (IC=-100 mAdc, VCE=-3.0 Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage (IC=-500 mAdc, IB=-50mAdc) Output Capacitance V CB =-10Vdc, I E=0A, f=1MHZ Current-Gain-Bandwidth Product (IE=-50 mAdc, VCE=-5.0 Vdc, f=100MHz) hFE VCE(sat) 120 - 390 -0.5 Vdc PF - Cob fT 5.0 12 200 30 - MHz CLASSIFICATION OF hFE Rank Range Q 120-270 R 180-390 Electrical characteristic curves WEITRON http://www.weitron.com.tw 2SB1197K Electrical characteristic curves WEITRON http://www.weitron.com.tw

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2SB1197K

1. 物料型号： - 型号：2SB1197K

2. 器件简介： - 2SB1197K是一款PNP型晶体管，由WEITRON公司生产。

3. 引脚分配： - 封装类型：SC-59

4. 参数特性： - 最大额定值： - 集电极-发射极电压（VCEO）：-32Vdc - 集电极-基极电压（VCBO）：-40Vdc - 发射极-基极电压（VEBO）：-5Vdc - 集电极连续电流（IC）：-800mAdc - 热特性： - 总器件耗散（FR-5板，1）：200mW - TA=25°C时，超过25°C时的降额：1.6mW/°C - 热阻，结到环境（ROJA）：625°C/W - 结和存储温度（TJ,Tstg）：-55至+150°C

5. 功能详解： - 关断特性： - 集电极-发射极击穿电压（IC=-1.0mAdc, IB=0）：V(BR)CEO -32Vdc - 集电极-基极击穿电压（ic=50Adc, IE=0）：V(BR)CBO -40Vdc - 发射极-基极击穿电压（IE=-50Adc, Ic=0）：V(BR)EBO -5.0Vdc - 集电极截止电流（VCB=-20Vdc, I=0）：ICBO -0.5uAdc - 发射极截止电流（VEB=-4.0Vdc, Ic=0）：IEBO -0.5uAdc - 开启特性： - DC电流增益（IC=-100mAdc, VCE=-3.0Vdc）：hFE 390 - 集电极-发射极饱和电压（IC=-500mAdc, IB=-50mAdc）：VCE(sat) -0.5Vdc - 输出电容（V=-10Vdc, I=0A, f=1MHz）：Cob 12-30pF - 电流增益-带宽积（IE=-50mAdc, VCE=-5.0Vdc, f=100MHz）：fT 5.0-200MHz

6. 应用信息： - 该晶体管适用于一般用途的放大和开关应用。

7. 封装信息： - 封装尺寸：1.0 × 0.75 × 0.062英寸（FR-5）

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