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B140N

B140N

  • 厂商:

    WEITRON

  • 封装:

  • 描述:

    B140N - Surface Mount Schottky Barrier Diodes - Weitron Technology

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
B140N 数据手册
B120N/B140N B160N Surface Mount Schottky Barrier Diodes REVERSE VOLTAGE 20-60Volts FORWARD CURRENT 1.0 Ampere Features: * Surface Mounted Applications * Metal-Semiconductor Junction with Guardring * Epitaxial Construction * Low Leakage Current * High Current Capability * Plastic Material Has UL Flammability Classification 94V-0 * For Use in, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection Applications Mechanical Data * Case : Molded Plastic, SOD-323F(0805) * Terminals : Solder Plated, Solderable per ML-STD-750 Medthod 2026 * Polarity :Indicated By Cathode Band * Shipped in 8mm Tape, 3000 Pcs per 7 Inch Reel * Weight: 0.0085 grams SOD-323F (0805) SOD-323F Outline Dimension unit:mm B C A SOD-323F Dim A B C E H J Min 1.15 2.30 1.80 0.90 Max 1.35 2.70 0.30(TYP) 2.20 0.90(TYP) 1.10 E J H H WEITRON http://www.weitron.com.tw B120N/B140N B160N Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating 25 C Ambient Temperature Unless Otherwise Specified. Single Phase Half Wave, 60Hz , Resistive or Inductive Load. For Capacitive Load, Derate Current by 20%. Characteristics Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward (FIG1) Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) Maximum Instantaneous @ TA=25 C Maximum DC Reverse Current @TA=25 C At Rated DC Blocking Voltage @TA=125 C Typical Junction Capacitance (1) Typical Thermal Resistance (2) Operating Temperature Range Storage Temperature Range NOTES: 1. Measured at 1.0MHz applied reverse voltage of 4.0V DC. 2. Thermal Resistance Junction to case. Symbol VRRM VRMS VDC I F (AV) IFSM VF IR CJ RqJC TJ TSTG B120N 20 14 20 B140N 40 28 40 1.0 30 0.55 0.5 10 120(TYP) 90(TYP) B160N 60 42 60 Unit V V V A A 0.70 V mA PF C/W C C -55 to+125 -55 to+150 Device Marking B120N=12 B140N=14 B160N=16 WEITRON http://www.weitron.com.tw B120N/B140N B160N AV E R A G E F O R W A R D C U R R E N T, ( A ) 1.2 1.0 0.8 2 B1 50 I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T, ( A ) 0.6 0.4 0.2 0 0 20 40 60 80 10 3.0 1.0 B1 2 0N -B1 40 N B1 60 N N 40 100 120 140 160 180 200 B1 60 N Tj=25 C Pulse Width 300us 1% Duty Cycle AMBIENT TEMPERATURE,( C) FIG.1 Typical Forward Current Derating Curve -B1 0N 0.1 30 P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T, ( A ) .01 24 .1 .3 .5 .7 .9 1.1 1.3 1.5 FORWARD VOLT AGE,(V) 18 Tj=25 C 8.3ms Single Half Sine Wave JEDEC method FIG.2 Typical Forward Characteristics 12 6 0 1 5 10 50 100 NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current 100 350 300 250 200 150 100 50 0 J U N C T I O N C A P A C I T A N C E , ( pF ) R E V E R S E L E A K A G E C U R R E N T, ( mA ) 10 1.0 Tj=75 C .1 Tj=25 C .01 .01 .05 .1 .5 1 5 10 50 100 0 20 40 60 80 100 120 140 REVERSE VOLTAGE,(V) PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOL TAGE,(%) FIG.4 Typical Junction Capacitance FIG.5 Typcial Reverse Characteristics WEITRON http://www.weitron.com.tw
B140N
1. 物料型号: - B120N/B140N/B160N

2. 器件简介: - WEITRON品牌的表面贴装肖特基势垒二极管,适用于表面贴装应用,具有金属-半导体结构和防护环,外延结构构造,低漏电流,高电流能力,塑料材料具有UL可燃性分类94V-0。

3. 引脚分配: - SOD-323F封装,模塑塑料,焊盘镀锡,根据ML-STD-750方法2026可焊,极性通过阴极带表示,8mm胶带包装,每7英寸卷3000片。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压:B120N为20V,B140N为40V,B160N为60V。 - 最大RMS电压:B120N为14V,B140N为28V,B160N为42V。 - 最大直流阻断电压:与最大重复峰值反向电压相同。 - 最大平均正向电流(FIG1):1.0A。 - 峰值正向浪涌电流,8.3ms单半正弦波叠加在额定负载上(JEDEC方法):B120N为30A。 - 最大瞬时正向电压@ TA=25°C:B120N为0.55V,B160N为0.70V。 - 最大直流反向电流@ TA=25°C在额定直流阻断电压@ TA=125°C:0.5mA至10mA。 - 典型结电容(1):120pF(典型值)。 - 典型热阻(2):90°C/W(典型值)。 - 工作温度范围:-55至+125°C。 - 存储温度范围:-55至+150°C。

5. 功能详解: - 这些二极管适用于高频逆变器、自由轮和极性保护应用。

6. 应用信息: - 用于高频逆变器、自由轮和极性保护。

7. 封装信息: - SOD-323F封装,具体尺寸如下: - A:1.15至1.35mm - B:2.30至2.70mm - C:0.30mm(典型值) - E:1.80至2.20mm - H:0.90mm(典型值) - J:0.90至1.10mm
B140N 价格&库存

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