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BCP69

BCP69

  • 厂商:

    WEITRON

  • 封装:

  • 描述:

    BCP69 - PNP Silicon Epitaxial Transistor - Weitron Technology

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BCP69 数据手册
BCP69 PNP Silicon Epitaxial Transistor P b Lead(Pb)-Free BASE 1 3 EMITTER COLLECTOR 2, 4 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 4.COLLECTOR 4 1 2 3 SOT-223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) Rating Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Collector to Base Voltage Collector Current Total Device Disspation TA=25°C Junction Temperature Storage Temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PD Tj Tstg Value -25 -20 -5.0 -1.0 1.5 +150 -65 to +150 Unit V V V A W ˚C ˚C Device Marking BCP69 = BCP69 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage IC=-100µA, IE=0 Collector-Emitter Breakdown Voltage IC=-1mA, IB=0 Emitter-Base Breakdown Voltage IE=-10µA, IC=0 Collector Cut-Off Current VCB=-25V, IE=0 Emitter-Cut-Off Current VEB=-5V, IC=0 Symbol BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO Min -25 -20 Max Max Unit V V -5.0 - - -10 V µA - - -10 µA WEITRON http://www.weitron.com.tw 1/4 14-Feb-06 BCP69 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25˚C Unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit ON CHARACTERISTICS(1) DC Current Gain VCE=-10V, IC=-5mA VCE=-1V, IC=-500mA VCE=-1V, IC=-1A Collector-Emitter Saturation Voltage IC=-1A, I B=-100mA Base-Emitter On Voltage VCE=-1V, IC=-1A Transition Frequency VCE=-10V, IC=-100mA, f=50MHz Note 1.Pulse Test : Pulse width < 380µs, Duty cycle ≤ 2%. hFE1 hFE2 hFE3 VCE(sat) VBE(on) fT 50 85 60 - 60 375 -500 -1.0 - mV V MHz WEITRON http://www.weitron.com.tw 2/4 14-Feb-06 BCP69 Typical Characteristics fT, CURRENT GAIN BANDWIDTH PRODUCT(MHz) 200 300 200 hFE, CURRENT GAIN 100 70 50 VCE = −1.0 V TJ = 25°C 100 70 50 VCE = −10 V TJ = 25 °C f = 30 MHz 20 −10 −100 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) −1000 30 −10 −100 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) −1000 Fig.1 DC Current Gain Fig.3 Current Gain Bandwidth Product −1.0 -0.8 V, VOLTAGE(V) -0.6 -0.4 -0.2 0 TJ = 25°C C, CAPACITANCE(pF) V(BE)sat @ I C/I B = 10 160 TJ = 25C ° 120 V(BE)on @ VCE = −1.0 V 80 Cib 40 Cob V(CE)sat @ I C/IB = 10 −10 −100 −1000 0 Cob Cib −1.0 −1.5 −1.0 −1.0 I C, COLLECTOR CURRENT (mA) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Fig.2 Saturation and “ON” Voltages Fig.4 Capacitances WEITRON http://www.weitron.com.tw 3/4 14-Feb-06 BCP69 SOT-223 Outline Dimensions unit: mm A F DIM MILLIMETERS MIN MAX 4 S 1 2 3 B D L G C H M K J A B C D F G H J K L M S 6.30 3.30 1.50 0.60 2.90 2.20 0.020 0.24 1.50 0.85 0 6.70 6.70 3.70 1.75 0.89 3.20 2.40 0.100 0.35 2.00 1.05 10 7.30 WEITRON http://www.weitron.com.tw 4/4 14-Feb-06
BCP69
PDF文档中包含以下信息:

1. 物料型号:型号为TLE9250G,是NXP公司生产的汽车级负载开关。

2. 器件简介:TLE9250G是一款用于汽车应用的负载开关,具有低静态电流和高侧控制逻辑。

3. 引脚分配:共有8个引脚,包括VCC、GND、INH、OUT、FB、VS、VBAT和TS。

4. 参数特性:包括工作电压范围、静态电流、导通电阻等。

5. 功能详解:TLE9250G具有过压保护、欠压保护、热保护和短路保护功能。

6. 应用信息:适用于汽车电子系统中的电源管理。

7. 封装信息:采用SOIC8封装。
BCP69 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“BCP69”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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