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BCX53-10

BCX53-10

  • 厂商:

    WEITRON

  • 封装:

  • 描述:

    BCX53-10 - PNP Plastic-Encapsulate Transistor - Weitron Technology

  • 详情介绍
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BCX53-10 数据手册
BCX53 PNP Plastic-Encapsulate Transistor P b Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 SOT-89 MAXIMUM RATINGS ( TA=25°C unless otherwise noted) Rating Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Continuous Symbol VCBO VCEO VEBO IC PD TJ Tstg Value -100 -80 -5.0 -1.0 500 +150 -55 to +150 Unit V V V A mW ˚C ˚C Total Device Dissipation TA=25°C Junction Temperature Range Storage Temperature Range Device Marking BCX53=AH , BCX53-10=AK , BCX53-16=AL OFF CHARACTERISTICS Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage, IC = -100µA, IE = 0 Collector-Emitter Breakdown Voltage, IC = -10mA, IB = 0 Emitter-Base Breakdown Voltage, IE = -10µA, IC = 0 Collector Cut-off Current, VCB = -30V, IE = 0 Emitter Cut-off Current, VEB = -5.0V, IC = 0 Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO Min - Max -100 -80 -5.0 -0.1 -0.1 Unit V V V µA µA W E IT R O N h t t p : / / w w w . w e i t r o n . c o m . tw 1/3 12-Oct-06 BCX53 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min Typ Max Unit ON CHARACTERISTICS DC Current Gain VCE = -2.0V, IC = -150mA BCX53 BCX53-10 BCX53-16 hFE1 63 63 100 63 40 250 160 250 -0.5 -1.0 V V MHz - VCE = -2.0V, IC = -5.0mA VCE = -2.0V, IC = -500mA Collector-Emitter Saturation Voltage IC = -500mA, IB = -50mA Base-Emitter Voltage VCE = -2.0V, IC = -500mA TransitionFrequence VCE = -5V, IC = -10mA, f = 100MHz hFE2 hFE3 VCE(sat) VBE(ON) fT 50 WEITRON http://www.weitron.com.tw 2/3 12-Oct-06 BCX53 SOT-89 Outline Dimensions unit: mm E G A J C H K L B D Dim A B C D E G H J K L SOT-89 Min Max 1.600 1.400 0.520 0.320 0.560 0.360 0.440 0.350 4.600 4.400 1.800 1.400 2.600 2.300 4.250 3.940 1.500T YP 3.100 2.900 WEITRON http://www.weitron.com.tw 3/3 12-Oct-06
BCX53-10
物料型号: - 型号:BCX53

器件简介: - BCX53是一个PNP塑封晶体管。

引脚分配: - 1. 基极(BASE) - 2. 集电极(COLLECTOR) - 3. 发射极(EMITTER)

参数特性: - 最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO):-100V - 集电极-发射极电压(VCEO):-80V - 发射极-基极电压(VEBO):-5.0V - 集电极电流(IC):-1.0A - 总器件耗散功率(PD):500mW - 结温范围(TJ):+150°C - 存储温度范围(Tstg):-55 to +150°C - 器件标记: - BCX53=AH - BCX53-10=AK - BCX53-16=AL

功能详解: - 关断特性: - 集基击穿电压(ICBO):-100V - 集发射击穿电压(IEBO):-80V - 发基击穿电压(VBE(OFF)):-5.0V - 集截止电流(ICBO):-0.1μA - 发截止电流(IEBO):-0.1μA - 导通特性: - DC电流增益(hFE): - BCX53:63至250 - BCX53-10:63至160 - BCX53-16:100至250 - 集-发饱和电压(VCE(sat)):-0.5V - 基-发电压(VBE(ON)):-1.0V - 转换频率(fr):50MHz

应用信息: - 该型号适用于一般PNP晶体管的应用场景。

封装信息: - 封装类型:SOT-89 - 封装尺寸详细信息已提供,单位为毫米。
BCX53-10 价格&库存

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BCX53-10
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库存:1059

BCX53-10,115
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BCX53-16-TP
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库存:759

BCX53-16(100-250)
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  • 500+0.224
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  • 2500+0.1888
  • 5000+0.1792

库存:103