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KTA1266

KTA1266

  • 厂商:

    WEITRON

  • 封装:

  • 描述:

    KTA1266 - PNP Plastic-Encapsulate Transistor - Weitron Technology

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
KTA1266 数据手册
WEITRON PNP Plastic-Encapsulate Transistor P b Lead(Pb)-Free KTA1266 FEATURES : • Excellent hFE Linearity •� Low noise MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE TO-92 Value -50 -50 -5 -0.15 625 150 -55-150 Units V V V A mW ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain hFE(2) Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance Noise figure VCE(sat) VBE(sat) fT Cob NF VCE= -6V,IC= -150mA I C= -100mA,IB= -10 mA I C= -100mA,IB= -10 mA VCE= -10V, IC= -1mA VCB= -10V,IE=0, f=1MHz VCE= -6V, Ic= -0.1mA, f=1KHZ, Rg=10KΩ 80 7 10 25 -0.3 -1.1 V V MHz pF dB Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE(1) Test conditions MIN -50 -50 -5 -0.1 -0.1 70 400 TYP MAX UNIT V V V IC= -100μA, I E =0 IC= -1m A, IB=0 IE= -100μA, IC=0 VCB= -50V, I E=0 VEB= -5V, IC=0 VCE= -6V,IC= -2mA μA μA CLASSIFICATION OF Rank Range Marking hFE(1) O 70 - 140 V 120 - 240 GR 200 - 400 WEITRON hpp://www.weitron.com.tw 1/3 04-Oct-2010 KTA1266 Typical Characteristics WEITRON hpp://www.weitron.com.tw 2/3 04-Oct-2010 KTA1266 TO-92 Outline Dimensions E unit:mm C J K G Dim A B C D E G H J K L H TO-92 Min Max 3.70 3.30 1.40 1.10 0.55 0.38 0.51 0.36 4.70 4.40 3.43 4.70 4.30 1.270TYP 2.44 2.64 14.10 14.50 B L WEITRON http://www.weitron.com.tw D A 3/3 04-Oct-2010
KTA1266
1. 物料型号: - 型号为KTA1266,由WEITRON生产。

2. 器件简介: - KTA1266是一个PNP型塑封晶体管,采用TO-92封装。

3. 引脚分配: - 1. EMITTER(发射极) - 2. COLLECTOR(集电极) - 3. BASE(基极)

4. 参数特性: - 最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO):-50V - 集电极-发射极电压(VCEO):-50V - 发射极-基极电压(VEBO):-5V - 集电极电流(Ic):-0.15A - 集电极功率耗散(Pc):625mW - 结温(TJ):150℃ - 存储温度(Tstg):-55℃至150℃ - 电气特性: - 集基击穿电压(VBRCBO):-50V - 集射击穿电压(VBRCEO):-50V - 发基击穿电压(VBREBO):-5V - 集截止电流(IcBO):-0.1A - 发截止电流(IEBO):-0.1A - DC电流增益(hFE):70至400 - 集-射饱和电压(VcE(sat)):-0.3V - 基-射饱和电压(VBE(sat)):-1.1V - 转换频率(fr):80MHz - 集电极输出电容(Cob):7pF - 噪声系数(NF):10dB

5. 功能详解: - KTA1266具有优异的hFE线性和低噪声特性,适用于需要这些特性的电路设计。

6. 应用信息: - 该晶体管适用于一般PNP晶体管的应用场合,具体应用需根据其电气特性和功率耗散来确定。

7. 封装信息: - 采用TO-92封装,具体尺寸如下: - A:3.30mm至3.70mm - B:1.10mm至1.40mm - C:0.38mm至0.55mm - D:0.36mm至0.51mm - E:4.40mm至4.70mm - G:3.43mm - H:4.30mm至4.70mm - J:1.27mm(典型值) - K:2.44mm至2.64mm - L:14.10mm至14.50mm
KTA1266 价格&库存

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KTA1266-Y-AT/P
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  • 300+0.14554
  • 500+0.13417
  • 2000+0.12848
  • 5000+0.12507

库存:415