MMBT2907

厂商：
WEITRON
封装：
描述：
MMBT2907 - PNP General Purpose Transistors - Weitron Technology

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MMBT2907 MMBT2907A PNP General Purpose Transistors 1 BASE 2 EMITTER COLLECTOR 3 3 1 2 SOT-23 2907A -60 -60 -5.0 -600 Unit Vdc Vdc Vdc mAdc MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base VOltage Collector Current-Continuous Symbol VCEO VCBO VEBO IC 2907 -40 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristics Total Device Dissipation FR-5 Board (1) TA=25 C Derate above 25 C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA=25 C Derate above 25 C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage, Temperature Symbol PD R qJA PD R qJA TJ,Tstg Max 225 1.8 556 300 2.4 417 -55 to +150 Unit mW mW/ C C/W mW mW/ C C/W C DEVICE MARKING MMBT2907=M2B; MMBT2907A=2F ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristics Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC= -10 mAdc, IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage (IC= -10 µAdc, IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= -10 µAdc, IC=0) Collector Cutoff Current (VCE= -30 Vdc, VEB (0ff )= -0.5Vdc) Collector Cutoff Current (VCB= -50 Vdc, IE=0) (VCB= -50Vdc, IE=0, TA=125 C) Base Cutoff Current (VCE= -30Vdc, VEB(off )= -0.5Vdc) 1.FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062 in 2.Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina MMBT2907 MMBT22907A MMBT2907 MMBT2907A MMBT2907A MMBT2907 MMBT2907A V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO ICEX ICBO IB -40 -60 -60 -5.0 -50 -0.020 -0.010 -20 -10 -50 Vdc Vdc Vdc nAdc nAdc nAdc WEITRON http://www.weitron.com.tw MMBT2907 MMBT2907A ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min Max Unit ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (IC= -0.1 mAdc, VCE= -10 Vdc) (IC= -1.0 mAdc, VCE= -10 Vdc) (IC= -10 mAdc, VCE= -10 Vdc) (IC= -150 mAdc, VCE= -10 Vdc) (IC= -500 mAdc, VCE= -10 Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= -150 mAdc, IB= -15mAdc) (IC= -500 mAdc, IB= -50mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage (IC= -150 mAdc, IB= -15mAdc) (IC= -500 mAdc, IB= -50mAdc) MMBT2907 MMBT2907A MMBT2907 MMBT22907A MMBT2907 MMBT22907A MMBT2907 MMBT2907A MMBT2907 MMBT2907A VCE(sat) hFE 35 75 50 100 75 100 100 30 50 300 -0.4 -1.6 -1.3 -2.6 Vdc VBE(sat) Vdc SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS Current-Gain-Bandwidth Product (1),(2) (IC= -50 mAdc, VCE -=20 Vdc, f=100MHz) Output Capacitance ( VCB= -10 Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Input Capacitance ( VEB= -2.0 Vdc, IC=0, f=1.0MHz) fT Cobo Cibo 200 8.0 30 MHz pF pF ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min Max Unit SWITCHING CHARACTERISTICS Turn-On Time Delay Time Rise Time Turn-Out Time Storage Time Fall Time _ 1.Pulse Test:Pulse Width=300 µs, Duty Cycle

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MMBT2907

1. 物料型号： - MMBT2907 - MMBT2907A

2. 器件简介： - 这些是PNP通用晶体管，由WEITRON公司生产，适用于多种电子应用。

3. 引脚分配： - COLLECTOR（集电极）：3 - BASE（基极）：1 - EMITTER（发射极）：2

4. 参数特性： - 最大额定值： - 集电极-发射极电压（VCEO）：2907为-40V，2907A为-60V - 集电极-基极电压（VCBO）：2907A为-60V - 发射极-基极电压（VEBO）：2907为-5.0V - 集电极连续电流（IC）：2907A为-600mA - 热特性： - 总器件耗散功率（FR-5板，TA=25°C）：PD为225mW - 热阻，结到环境（ROJA）：556°C/W

5. 功能详解： - 这些晶体管在不同集电极电流下的直流电流增益（hFE）有不同的值，从35到300不等。 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）在不同集电极电流下也有不同的值，范围从-0.4V到-1.6V。 - 基-发射饱和电压（VBE(sat)）在不同集电极电流下也有不同的值，范围从-1.3V到-2.6V。

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于需要PNP三极管的通用电子应用，如放大器、开关等。

7. 封装信息： - SOT-23封装，具体尺寸如下： - A：0.35mm到0.51mm - B：1.19mm到1.40mm - C：2.10mm到3.00mm - D：0.85mm到1.05mm - E：0.46mm到1.00mm - G：1.70mm到2.10mm - H：2.70mm到3.10mm - J：0.01mm到0.13mm - K：0.89mm到1.10mm - L：0.30mm到0.61mm - M：0.076mm到0.25mm

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