物料型号：
- 型号为NMPSA42。
器件简介：
- NMPSA42是一款通用晶体管，封装形式为TO-92。
引脚分配：
- 1. 发射极（Emitter）
- 2. 基极（Base）
- 3. 集电极（Collector）
参数特性：
- 最大额定值（Tamb=25℃除非另有说明）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：310V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：305V
- 发射极-基极电压（VEBO）：5V
- 集电极电流-连续（Ic）：500mA
- 结和存储温度（TJ,Tstg）：-55至150℃
- 热阻，结到环境（ROJA）：200℃/mW
- 热阻，结到封装（RJC）：83.3℃/mW
功能详解：
- 电气特性（Tamb=25℃除非另有说明）：
- 集基击穿电压（VBRICBO）：310V（Ic=100uA, Ib=0）
- 集-发射极击穿电压（VBRCEO）：305V（Ic=1mA, Ib=0）
- 发-基极击穿电压（VBREBO）：5V（Ic=100uA, Ib=0）
- 集电极截止电流（IcBO）：0.25uA（VcB=200V, Ib=0）
- 发射极截止电流（IEBO）：0.1uA（VEB=5V, Ic=0）
- DC电流增益（hFE）：
- hFE(1)：60（Vc=10V, Ic=1mA）
- hFE(2)：80至250（VcE=10V, Ic=10mA）
- hF(3)：75（VcE=10V, Ic=30mA）
- 集-发射极饱和电压（VcE(sat)）：0.2V（Ic=20mA, Ib=2mA）
- 基-发射极饱和电压（VBE(sat)）：0.9V（Ic=20mA, Ib=2mA）
- 过渡频率（fr）：50MHz（Vce=20V, Ic=10mA, f=30MHz）
应用信息：
- 该型号适用于需要通用晶体管的应用场合。
封装信息：
- 封装形式为TO-92，具体尺寸如下（单位：mm）：
- A：3.30至3.70
- B：1.10至1.40
- C：0.38至0.55
- D：0.36至0.51
- E：4.40至4.70
- G：3.43（最小值）
- H：4.30至4.70
- J：1.27（典型值）
- K：2.44至2.64
- L：14.10至14.50
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