SS8550D

厂商：
WEITRON
封装：
描述：
SS8550D - Plastic-Encapsulate Transistors PNP Silicon - Weitron Technology

数据手册：

下载SS8550D.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

SS8550D 数据手册

SS8550 Plastic-Encapsulate Transistors PNP Silicon 2 BASE 1 EMITTER COLLECTOR 3 TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Total Device Dissipation TA=25 C Junction Temperature Storage Temperature Symbol VCEO VCBO VEBO IC PD Tj Tstg SS8550 -25 -40 -5.0 -1.5 1.0 150 -55 to +150 Unit Vdc Vdc Vdc Adc W C C DEVICE MARKING SS8550=SS8550D ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristics Collector-Emitter Breakdown Voltage (1) (IC= -0.1 mAdc, IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage (IC= -100 uAdc, IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= -100 uAdc, IC=0) Collector Cutoff Current (VCB= -40 Vdc, IE=0 Vdc) Emitter Cutoff Current(VEB = -5 Vdc, I C =0 Vdc) 1. Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0% Symbol V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO ICBO I EBO Min -25 -40 -5.0 Max -0.1 -0.1 Unit Vdc Vdc Vdc uAdc uAdc WEITRON http://www.weitron.com.tw SS8550 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min TYP Max Unit ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (IC= -100 mAdc, VCE=-1.0 Vdc) hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE(sat) fT 85 40 100 - 400 -0.5 Vdc DC Current Gain (IC= -800 mAdc, VCE= -1.0 Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= -800 mAdc, IB= -80 mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage (IC= -800 mAdc, IB= -80 mAdc) Transition Frequency (VCE =-10V, I C =-50mA, f=30 MHz) - -1.2 - Vdc MHz Classification of hFE(1) Rank Range B 85-160 C 120-200 D 160-300 E 300-400 WEITRON http://www.weitron.com.tw SS8550 -0.5 1000 VCE = -1V IB=-4.0mA IC[mA], COLLECTOR CURRENT -0.4 IB=-3.5mA IB=-3.0mA hFE, DC CURRENT GAIN 100 -0.3 IB=-2.5mA IB=-2.0mA -0.2 IB=-1.5mA IB=-1.0mA 10 -0.1 IB=-0.5mA -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1 -0.1 -1 -10 -100 -1000 VCE[V], CO LLECTO R-EM ITTER VO LT AGE IC[mA], COLLECTOR CURRENT FIG.1 Static Characteristic FIG.2 DC Current Gain -100 -10000 VBE(sat), VCE(sat)[V], SATURATION VOLTAGE VCE = -1V IC=10IB IC[mA], COLLECTOR CURRENT -10 -1000 VBE(sat) -1 -100 VCE(sat) -10 -0.1 -0.1 -0.0 -1 -10 -100 -1000 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 IC[m A], COLLECTOR CURRENT VBE[V], BASE-EMITTER VOLT AGE FIG.3 Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage FIG.4 Base-Emitter On Voltage 100 fT[MHz], CURRENT GAIN-BANDW IDTH PRODUCT 1000 f=1MHz IE=0 VCE=-10V Cob[pF], CAPACITANCE 10 100 1 -1 -10 -100 -1000 10 -1 -10 -100 -1000 VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLT AGE IC[m A], COLLECTOR CURRENT FIG.5 Collector Output Capacitance FIG.6 Current Gain Bandwidth Product WEITRON http://www.weitron.com.tw SS8550 unit:mm TO-92 Outline Dimensions E TO-92 H C J K G Dim A B C D E G H J K L Min Max 3.70 3.30 1.40 1.10 0.55 0.38 0.51 0.36 4.70 4.40 3.43 4.70 4.30 1.270TYP 2.44 2.64 14.10 14.50 B L WEITRON http://www.weitron.com.tw D A

下载 PDF

SS8550D

物料型号： - 型号为SS8550。

器件简介： - SS8550是一款塑封PNP型硅晶体管，采用TO-92封装。

引脚分配： - 1. 发射极（EMITTER） - 2. 基极（BASE） - 3. 集电极（COLLECTOR）

参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-发射极电压：VCEO -25Vdc - 集电极-基极电压：VCBO -40Vdc - 发射极-基极电压：VEBO -5.0Vdc - 集电极电流：IC -1.5Adc - 总器件耗散功率TA=25°C：PD 1.0W - 结温：Tj 150℃ - 存储温度：Tstg -55 to +150℃

功能详解： - 电气特性： - 集电极-发射极击穿电压（Ic= -0.1 mAdc, Ig=0）：V(BR)CEO -25Vdc - 集电极-基极击穿电压（IC= -100 uAdc IE=0）：V(BR)CBO -40Vdc - 发射极-基极击穿电压（IE= -100 uAdc, Ic=0）：V(BR)EBO -5.0Vdc - 集电极截止电流（VCB= -40 Vdc, IE=0 Vdc）：ICBO -0.1 uAdc - 发射极截止电流（VEB =-5 Vdc, Ic =0Vdc）：EBO -0.1 uAdc

应用信息： - SS8550晶体管可以用于低功耗的开关和放大应用，常见于简单的电子电路和数字电路中。

封装信息： - 采用TO-92封装，具体尺寸如下（单位：mm）： - A：3.30 - 3.70 - B：1.10 - 1.40 - C：0.38 - 0.55 - D：0.36 - 0.51 - E：4.40 - 4.70 - G：3.43（最大值） - H：4.30 - 4.70 - J：1.27（典型值） - K：2.44 - 2.64 - L：14.10 - 14.50

SS8550D 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“SS8550D”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货