WT-Z210V-AU4

厂商：
WEITRON
封装：
描述：
WT-Z210V-AU4 - Zener Diode Chips (Dual Pad) for ESD Bidrectional Protection - Weitron Technology

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WT-Z210V-AU4 Zener Diode Chips (Dual Pad) for ESD Bidrectional Protection 1. Feature: 1-1 Silicon Zener diode chips for electrostatic discharge (ESD) protection application 1-2 This specification applies to N/P/N-Type silicon Zener diode chip (Dual pad/Vertical) Device NO:WT-Z210V-AU4 2. Structure: 2-1 Planar type: Silicon Diode 2-2 Electrodes: Top side : Gold Pad.(Cathode) Back side : Gold Layer.(Anode) 3. Size: 3-1 Chip size: 10.0 mils x 10.0 mils (254 um x 254 um). 3-2 Chip thickness: 4.0 ± 1.0 mils (100 ± 25.4 um). 3-3 Dual Bonding pad: 7.7 mils x 7.7mils (195um x 195um). 3-4 Pattern drawing: Refer to the attached drawing. 4. Electrical Characteristics (Ta=25 C) Parameter Zener Voltage Forward Voltage Reverse Leakage Current Electrostatic Discharge Symbol Vz (Top) Vz (Back) Vf Condition Iz=5mA Min. 5.8 5.4 Typ. Max. 7.0 6.6 1.2 Unit V IF=20mA V IR VR=4V HBM MIL-STD 883 100 nA ESD 8.0 KV 5. Drawing: Bonding pad Top side N P-Sub N 6. Protection Circuit: ( Top View) LED Protection Zener Back Side Bonding pad WEITRON TECHNOLOGY CO., LTD. Bonding pad TEL:886-2-29148158 FAX:886-2-29106796 Http://www.weitron.com.tw 30 - Jun - 06

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WT-Z210V-AU4

1. 物料型号： - 型号：WT-Z210V-AU4

2. 器件简介： - WT-Z210V-AU4是一款用于静电放电（ESD）保护的硅齐纳二极管芯片，具有双向保护功能。

3. 引脚分配： - 正面（阴极）：金垫 - 背面（阳极）：金层

4. 参数特性： - 齐纳电压：正面5.8V，背面5.4V - 正向电压：在20mA电流下，最大为1.2V - 反向漏电流：在4V反向电压下，最大为100nA - 静电放电能力：符合MIL-STD 883标准，最大承受8.0kV的HBM ESD

5. 功能详解： - 该器件为平面型硅二极管，顶部和底部都有金制电极，用于双向ESD保护。

6. 应用信息： - 适用于需要静电放电保护的电子设备。

7. 封装信息： - 芯片尺寸：10.0 mils x 10.0 mils（254 um x 254 um） - 芯片厚度：4.0 ± 1.0 mils（100 ± 25.4 um） - 双键合垫尺寸：7.7 mils x 7.7 mils（195um x 195um）

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