WTD40N03

1. 物料型号： - WTD40N03

2. 器件简介： - WTD40N03是一款表面贴装P沟道增强型功率MOSFET，具有以下特点： - 超高密度单元设计，以降低RDS(ON) - 简单的驱动需求 - 较低的导通电阻 - 快速开关特性 - TO-252封装（D-PAK）

3. 引脚分配： - 1. GATE - 2. DRAIN - 3. SOURCE

4. 参数特性： - 漏源电压(VDs)：-60V - 漏极电流(-15A) - 最大额定值： - 漏源电压(VDs)：30V - 栅源电压(VGs)：±20V - 连续漏极电流(ID)：-20A至-13A - 脉冲漏极电流(IDM)：150A - 总功率耗散(PD)：50W - 热阻(RθJC)：2.5°C/W - 热阻(RθJA)：110°C/W - 工作结温范围(TJ,Tstg)：-55°C至+150°C

5. 功能详解： - 该器件具有低RDS(ON)、简单驱动要求、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效率和高密度集成的应用场合。

6. 应用信息： - 适用于需要高效率和高密度集成的功率管理应用。

7. 封装信息： - TO-252封装（D-PAK） - 封装尺寸图和具体尺寸数据已提供。