物料型号：
- 该文档描述的是一款512Kx8位的静态随机存取存储器（SRAM）。
器件简介：
- 这款SRAM采用先进的CMOS技术和电路技术，提供了高速和低功耗特性。它由524,288个8位字组成，工作电压范围为2.4V至3.6V。典型CMOS待机电流为1μA，最大访问时间为70ns（在3V工作状态下）。
引脚分配：
- A0-A18：19个地址输入端，用于选择524,288个8位字中的一个。
- CE：芯片使能输入，低电平有效。
- WE：写使能输入，低电平有效，控制读/写操作。
- OE：输出使能输入，低电平有效。
- DQ0-DQ7：8个双向数据输入/输出端口。
- Vcc：电源供应。
- Gnd：地。
参数特性：
- 工作电压：2.4V至3.6V。
- 最大写电流：在Vcc=3.0V时为20mA，在Vcc=3.6V时为30mA。
- 最大读电流：在Vcc=3.0V和3.6V时均为5mA。
- 典型CMOS待机电流：在Vcc=3.0V时为1μA，在Vcc=3.6V时为3μA。
- 最大访问时间：70ns（最大值）。
功能详解：
- 该SRAM支持通过CE和OE引脚进行内存扩展，并具有三态输出驱动。
- 当芯片未被选中时，自动进入低功耗模式，DQ引脚呈现高阻态。
- 所有I/O引脚均能承受5V的电压。
应用信息：
- 适用于需要高速和低功耗SRAM的应用场合。
封装信息：
- 提供JEDEC标准的32引脚封装。
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