FP1189-RFID

物料型号： - FP1189：½-Watt HFET (Heterostructure FET)，在SOT-89表贴封装中。 - FP1189-G：12-Watt HFET，符合RoHS标准的SOT-89封装。

器件简介： FP1189是一款高性能的½-Watt HFET，工作在50 – 4000 MHz频率范围内，具有+27 dBm的1-dB压缩输出功率和+40 dBm的输出IP3性能，900 MHz时增益为20.5 dB。该器件在+8 V和125 mA的漏极偏置下达到最佳性能。

引脚分配： - 输入/栅极：1号引脚 - 输出/漏极：3号引脚 - 地：2号和4号引脚

参数特性： - 饱和漏极电流（Idss）：220 mA至360 mA - 跨导（Gm）：155 mS - 截止电压（V(2)）：-2.1 V - 工作带宽：50 MHz至4000 MHz - 测试频率：17 MHz至800 MHz - 小信号增益：20.5 dB - 最大稳定增益：24 dB - 输出P1dB：+27.4 dBm - 输出IP3：+40 dBm - 噪声系数：2.7 dB

功能详解： FP1189 HFET适用于移动基础设施、CATV/DBS、W-LAN/ISM、RFID等领域，作为高性能和高效率要求的驱动放大器。

应用信息： - 应用电路包括870 – 960 MHz（FP1189-PCB900S）、1930 – 1990 MHz（FP1189-PCB1900S）和2110 – 2170 MHz（FP1189-PCB2140S）。 - 这些应用电路针对输出功率进行了匹配，并提供了在特定频率下的增益、输入/输出回波损耗、输出P1dB、输出IP3和噪声系数等参数。

封装信息： - FP1189采用SOT-89表贴封装，符合RoHS标准。 - FP1189-G是环保的SOT-89封装版本，符合无铅/绿色/RoHS标准。