FP2189-G

物料型号： - FP2189：1-Watt HFET (leaded SOT-89 Pkg) - FP2189-G：1-Watt HFET (lead-free/green/RoHS compliant SOT-89 Pkg) - FP2189-PCB900S：870 - 960 MHz Application Circuit - FP2189-PCB1900S：1930 - 1990 MHz Application Circuit - FP2189-PCB2140S：2110 -2170 MHz Application Circuit

器件简介： FP2189是一款高性能1-Watt HFET（异质结构FET），采用低成本SOT-89表面贴装封装。该器件在+8V和250mA的漏极偏置下工作效果最佳，达到+43dBm的输出IP3性能和+30dBm的1dB压缩输出功率，同时在900MHz时提供18.5dB的增益。

引脚分配： - 输入/门极：1 - 输出/漏极：3 - 地：2,4

参数特性： - 频率范围：50-4000 MHz - 测试频率：800 MHz - 小信号增益：18.5 dB - 最大稳定增益：24 dB - 输出P1dB：+30 dBm - 输出IP3：+43 dBm - 噪声系数：4.5 dB - 漏极偏置：+8V @ 250mA

功能详解： FP2189主要应用于需要高性能和高效率的无线基础设施作为驱动放大器。文档中还提供了功能图和不同的应用电路图，以及相应的RF性能参数。

应用信息： - 移动基础设施 - CATV/DBS - W-LAN/ISM - RFID - 国防/国土安全 - 固定无线