FP2189

### 物料型号 - 型号：FP2189-G - 描述：1-Watt HFET（异质结FET），采用SOT-89表面贴装封装，符合无铅/绿色/RoHS合规要求。

### 器件简介 FP2189是一款高性能1瓦HFET（异质结FET），采用低成本SOT-89表面贴装封装。该器件在+8V和250mA的漏偏置下工作最佳，能够实现+43dBm的输出IP3性能和+30dBm的1dB压缩输出功率，同时在900MHz时提供18.5dB的增益。

### 引脚分配 - 输入/门极：1号引脚 - 输出/漏极：3号引脚 - 地：2号和4号引脚

### 参数特性 - 工作带宽：50 – 4000 MHz - 输出1dB压缩功率：+30 dBm - 输出IP3：+43 dBm - 增益：在900MHz时为18.5dB - 饱和漏极电流：最小445mA，典型615mA，最大705mA - 跨导：280mS（典型值） - 截止电压：-2.1V（典型值）

### 功能详解 FP2189在无线基础设施中作为驱动放大器使用，要求高性能和高效率。该器件符合WJ Communications生产高可靠性和高质量组件的悠久历史。FP2189的预计平均故障时间（MTTF）在85°C的安装温度下超过100年。

### 应用信息 FP2189适用于移动基础设施、CATV/DBS、W-LAN/ISM、RFID、国防/国土安全和固定无线等领域。

### 封装信息 - 封装类型：SOT-89 - 封装合规性：无铅/绿色/RoHS合规 - 最大焊接温度：无铅（260°C）和有铅（245°C）焊接工艺兼容