FP31QF_06

1. 物料型号： - FP31QF-F：2-Watt HFET，无铅/RoHS合规的6mm QFN封装。 - FP31QF-PCB900：870 - 960 MHz应用电路。 - FP31QF-PCB1900：1930 - 1990 MHz应用电路。 - FP31QF-PCB2140：2110 - 2170 MHz应用电路。

2. 器件简介： - FP31QF是一款高性能2-Watt HFET（异质结构FET），采用低成本无铅/RoHS合规的28脚6x6 mm QFN表贴封装。该器件在+9V和450mA的漏极偏置下工作，以达到+46dBm的输出IP3性能和+34dBm的1dB压缩输出功率。

3. 引脚分配： - 3号引脚：栅极/射频输入。 - 19号引脚：漏极/射频输出。 - 其他所有引脚及背面铜层：接地。

4. 参数特性： - 工作频带宽度：50 – 4000 MHz。 - 增益：900 MHz时为18 dB。 - 1dB压缩点输出功率：+34 dBm。 - 三阶交调点输出功率：+46 dBm。 - 高漏极效率。 - 无铅/RoHS合规。 - 封装：6mm 28-pin QFN。

5. 功能详解： - FP31QF在+9V和450mA的偏置下达到最佳性能，适用于需要高性能和高效率的无线基础设施驱动放大器。

6. 应用信息： - 移动基础设施、CATV/DBS、W-LAN/ISM、RFID、国防/国土安全、固定无线等。

7. 封装信息： - 该封装为无铅/RoHS合规，兼容无铅（最高260°C回流温度）和有铅（最高245°C回流温度）焊接工艺。引脚上的镀层材料为铜上的退火亚光锡。