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1N47 SERIES 稳压（齐纳）二极管 Zener Diodes ■特征 Features ●Ptot 1.0W ●Vz 3.3V-100V ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark DO-41 1.02(26.0) MIN .177(4.50) MAX 1.02(26.0) MIN .034(0.86) MAX ■用途  Applications  ●稳定电压用  Stabilizing Voltage .102(2.60) MAX Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值）  Limiting Values (Absolute Maximum Rating) 参数名称 Item 损耗功率 Power dissipation 齐纳电流 Zener current 最大结温 Maximum junction temperature 存储温度范围 Storage temperature range 符号 Symbol Ptot IZ Tj 单位 Unit W mA ℃ 条件 Conditions L=4mm,TL=25℃ 最大值 Max 1.0 1) PV /VZ 175 Tstg ℃ -65 to +175 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 典型热阻(1) Thermal resistance 正向电压 Forward voltage 符号 Symbol RθJA VF 单位 Unit ℃/W V 条件 Conditions 结到环境，L=4毫米，TL=常温 junction to ambient air, L=4mm,TL=constant IF=200mA 最大值 Max 110 1.2 备注：Notes: 1) 距离管体4毫米引线处的温度设定为环境温度 Valid provided that leads at a distance of 4 mm from case are kept at ambient temperature. Document Number 0244 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  www.21yangjie.com 1N47 SERIES ■电性参数 (TA=25℃ 除非另有规定) Electrical Characteristics (TA=25℃ unless otherwise noted) 额定齐纳电压 产品型号 Part Number Nominal Zener voltage1) VZ at IZT V 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 1N4734A 1N4735A 1N4736A 1N4737A 1N4738A 1N4739A 1N4740A 1N4741A 1N4742A 1N4743A 1N4744A 1N4745A 1N4746A 1N4747A 1N4748A 1N4749A 1N4750A 1N4751A 1N4752A 1N4753A 1N4754A 1N4755A 1N4756A 1N4757A 1N4758A 1N4759A 1N4760A 1N4761A 1N4762A 1N4763A 1N4764A 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 测试电流 Test current IZT mA 76 69 64 58 53 49 45 41 37 34 31 28 25 23 21 19 17 15.5 14 12.5 11.5 10.5 9.5 8.5 7.5 7 6.5 6 5.5 5 4.5 4 3.7 3.3 3.0 2.8 2.5 最大动态电阻 Maximum dynamic impedance ZZT at IZT Ω 10 10 9 9 8 7 5 2 3.5 4 4.5 5 7 8 9 10 14 16 20 22 23 25 35 40 45 50 60 70 80 95 110 125 150 175 200 250 350 ZZK at IZK Ω 400 400 400 400 500 550 600 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 750 750 750 750 750 1000 1000 1000 1000 1500 1500 1500 2000 2000 2000 2000 3000 3000 3000 IZK mA 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 最大反向漏电流 Maximum reverse leakage current IR μA 100 100 50 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Test voltage VR V 1 1 1 1 1 1 2 3 4 5 6 7 7.6 8.4 9.1 9.9 11.4 12.2 13.7 15.2 16.7 18.2 20.6 22.8 25.1 27.4 29.7 32.7 35.8 38.8 42.6 47.1 51.7 56 62.2 69.2 76.0 浪涌电流 Surge current 3) 最大调整电流 Maximum regulator current2) IZM mA 276 252 234 217 193 178 162 146 133 121 110 100 91 83 76 69 61 57 50 45 41 38 34 30 27 25 23 22 19 18 16 14 13 12 11 10 9 at TA=25℃ IR mA 1380 1260 1190 1070 970 890 810 730 660 605 550 500 454 414 380 344 304 285 250 225 205 190 170 150 135 125 115 110 95 90 80 70 65 60 55 50 45 备注：Notes: 1) 基于直流测试热平衡的同时保持引线的温度在30℃+ 1℃，距离二极体本体距离为9.5毫米（3/ 8"） Based on dc-measurement at thermal equilibrium while maintaining the lead temperature (TL) at 30℃+1℃, 9.5 mm (3/8") from the diode body 2)  距离管体4毫米引线处的温度设定为环境温度 Valid provided that electrodes at a distance of 4 mm from case are kept at ambient temperature tp = 10 ms 3) Document Number 0244 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  www.21yangjie.com 1N47 SERIES ■特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 图 1 ：可接受功率损耗与环境温度关系 FIG1: Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperat Ptot(W) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 100 200 Tamb （℃） Document Number 0244 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  www.21yangjie.com