R2000 硅整流二极管 General Purpose Rectifier
■特征 Features ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark
DO-204AL(DO-41 )
.205(5.21) .166(4.22) 1.0(25.4) MIN 1.0(25.4) MIN
●Io 0.2A ● VRRM 2000V ●耐正向浪涌电流能力高 ●High surge current capability
●整流用 Rectifier
.080(2.03)
.028(0.71)
Unit: in inches (millimeters)
■极限值(绝对最大额定值) Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称 Item
反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 正向平均电流 Average Forward Current 正向(不重复)浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature
符号 Symbol
VRRM IF(AV)
单位 Unit
V A
条件 Conditions
(正弦半波 60HZ,电阻负载,Ta=50 ℃ ) ; (60HZ Half-sine wave, Resistance load,Ta=50℃) (正弦半波 60HZ, 一个周期, Ta=25 ℃ ) (60HZ Half-sine wave,1 cycle,Ta=25℃)
R2000
2000
0.2 30 -55~+125 -55 ~ +150
IFSM Tj Tstg
A ℃ ℃
■电特性
(Ta=25℃ 除非另有规定) Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称 Item 符号 Symbol
VFM IRRM1 IRRM2 RθJ-A
单位 Unit
V μA
测试条件 Test Condition
IFM=0.2A VRM=VRRM Ta=25℃ Ta=125℃
最大值 Max
3.0 5 50 130
正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻(典型) Thermal Resistance(Typical)
℃/W
结和环境之间 Between junction and ambient
Document Number 0105 Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd
www.21yangjie.com
DIA
■用途
Applications
.107(2.72)
.034(0.86)
R2000
■特性曲线 (典型) Characteristics(Typical)
图1: 正向电流降额曲线 FIG.1: FORWARD CURRENT DERATING CURVE
IO(A)
IFSM(A)
图2: 最大正向浪涌冲击耐受力 FIG.2:MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT
50
0.24
0.20
40
8.3毫秒正弦半波 8.3ms Single Half Sine Wave JEDEC Method
0.16
30
0.12
20
0.08
单相半波电压电阻和电感负载 0.375”(9.5毫米)引线长度 Single Phase Half Wave 60Hz Resistive or Inductive Load 0.375''(9.5mm) Lead Length
10
0.04
0
50
100
150 Ta(℃)
1
2
10
20
周波数 100 Number of Cycles
IR(uA)
图3: 典型正向特性曲线 FIG.3: TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IF(A) 20 10 4.0 2.0 1.0 0.4 0.2 0.1 0.04 0.02 0.01 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ=25℃ Pulse width=300us 1% Duty Cycle
图4: 典型反向特性曲线 FIG.4:TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
1000
100 Tj=125℃ 10
Tj=100℃ 1.0
Tj=25℃ 0.1
1.4 VF(V)
0.01 0
20
40
60
80
100 Voltage(%)
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