S115-F1-0000HF

RoHS S115 COMPLIANT 肖特基二极管 Schottky Rectifier ■特征 Features ● Io ■外形尺寸 Outline Dimensions and Mark 1.0A SOD-123FL VRRM 150V ● 低正向电压，低功耗 ● Low VF，Low power loss .154(3.90) .142(3.60) .047(1.20) .039(1.00) .002(0.05) .001(0.02) 整流用 Rectifier .010(0.25) .004(0.10) O ● Applications .112(2.85) .100(2.55) .043(1.10) .035(0.90) 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● 芯片尺寸 53mil Chip Dice 53mil ● ■用途 .035(0.90) .016(0.40) .075(1.90) .063(1.60) Limiting Values（Absolute Maximum Rating） Junction Temperature VRRM V IO A IFSM Tstg Tj 条件 Conditions TE 单位 Unit 60Hz单向半波，电阻负载，Ta=75℃ 60Hz One-way half-wave, R-load,Ta=75℃ 60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ A S115 150 1.0 65 ℃ -55 ~+150 ℃ -55 ~+150 LY Storage Temperature 结温 符号 Symbol FO R 参数名称 Item 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive) Forward Current 存储温度 NP A Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值） 参数名称 Item 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance 抗静电能力  Electrostatic Discharge 结电容（典型） Typical junction capacitance ON ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 符号 Symbol 单位 Unit 测试条件 Test Condition S115 VFM V IFM=1.0A 0.9 IRRM mA VRM=VRRM , Ta=25℃ 0.1 RθJ-L ℃/W ESD Cj 结和引线之间 Between junction and lead IEC-61000-4-2 ,接触式  IEC-61000-4-2 ,Contact mode KV pF IEC-61000-4-2,空气放电(1) IEC-61000-4-2,Air discharge(1) Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 5 8 15 58 注1.把静电枪靠近被测器件本体用仪器地与静电枪接触放电 S-S1075 Rev1.0, 17-Feb-17   扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com S115 图 1 ： Io-Ta 曲线 FIG1:Io-Ta Curve 图2：耐正向浪涌电流曲线 FIG2:Surge Forward Current Capadility IFSM(A) Io(A) ■特性曲线（典型） Ch racteristics(Typical) 1.2 70 1.0 8.3ms 正弦半波 8.3ms Single Half Sine Wave JEDEC Method 60 50 0.8 40 0.6 30 0.4 10 0 80 IR(mA) 4 2 2 5 10 20 50 100 Number of Cycles 图 4： 反 向 电 流 曲 线 F IG 4 :T y p ic a l R e v e rs e C h a ra c te ris tic s 1000 FO R IF(A) 图3：正向电压曲线 FIG3: Forward Voltage 6 1 160 Ta ℃ ) 120 NP A 40 TE 0 O 0.2 0 20 单相半波60Hz 电阻负载 Single Phase Half Wave 60Hz Resistive Load T j= 1 0 0 ℃ 100 LY 1 S115 10 ON 0.5 0.1 1 .0 0.05 0 .1 T j= 2 5 ℃ 0.02 Ta=25℃ 0.01 0.2 0.4 S-S1075 Rev1.0, 17-Feb-17   0.6 0.8 1.0 1.2 VF(V) 0 .0 1 0 20 40 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 60 80 100 V o lta g e (% ) www.21yangjie.com S115 ON LY FO R TE NP A O ■芯片图片  Die Photo S-S1075 Rev1.0, 17-Feb-17   扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com