PDF文档中包含的物料型号为:BD7AA33EFV。
器件简介:BD7AA33EFV是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
引脚分配:G(栅极),D(漏极),S(源极)。
参数特性:最大漏极电流(ID( max ))为5.3A,最大栅源电压(VGS( max ))为±20V,最大漏源电压(VDS( max ))为20V。
功能详解:BD7AA33EFV适用于需要高效率和低功耗的应用,如开关电源、马达驱动等。
应用信息:适用于高效率的电源转换和电机控制应用。
封装信息:采用TO-252封装,适用于表面贴装技术。