1. 物料型号:
- 型号:MA5104
- 制造商:GEC PLESSEY
2. 器件简介:
- MA5104是一款4k位静态RAM,配置为4096 x 1位,使用CMOS-SOS高性能、抗辐射、3微米技术制造。
- 设计使用6晶体管单元,具有全静态操作,无需时钟或定时脉冲。
- 地址输入缓冲器在芯片选择为高电平时取消选择。
3. 引脚分配:
- 引脚1:A0(地址输入)
- 引脚2:A1(地址输入)
- 引脚3:A2(地址输入)
- 引脚4:A3(地址输入)
- 引脚5:A4(地址输入)
- 引脚6:A5(地址输入)
- 引脚7:DOUT(数据输出)
- 引脚8:WEB(写使能)
- 引脚9:VSS(地)
- 引脚10:CSB(芯片选择)
- 引脚11:DIN(数据输入)
- 引脚12:A11(地址输入)
- 引脚13:A10(地址输入)
- 引脚14:A9(地址输入)
- 引脚15:A8(地址输入)
- 引脚16:A7(地址输入)
- 引脚17:A6(地址输入)
- 引脚18:VDD(电源)
4. 参数特性:
- 供电电压(Vcc):-0.5V至7V
- 输入电压(V1):-0.3V至Vpp+0.3V
- 工作温度(TA):-55°C至125°C
- 存储温度(Ts):-65°C至150°C
5. 功能详解:
- 该器件具有3微米CMOS-SOS技术,无锁存效应,快速访问时间(典型90ns),总剂量106 Rad(Si),瞬态干扰>1010 Rad(Si)/sec,单事件翻转(SEU)<10-10错误/位/天,单5V供电,三态输出,低待机电流(典型10μA),-55°C至+125°C工作温度范围内全TTL或CMOS兼容。
6. 应用信息:
- 适用于需要高性能、抗辐射的静态RAM应用。
7. 封装信息:
- 提供18引脚陶瓷DIL(焊封)和24引脚陶瓷平封装(焊封)两种封装方式。