1. 物料型号:
- 型号包括MM3Z2B4H至MM3ZB75H,这些型号代表了不同电压等级的硅平面齐纳二极管。
2. 器件简介:
- 这些器件是无卤型硅平面齐纳二极管,具有300mW的功率耗散和±2%的齐纳电压容差。
3. 引脚分配:
- 引脚1为阴极(Cathode),引脚2为阳极(Anode)。
4. 参数特性:
- 总功率耗散(Ptot):300mW
- 结温(T):150℃
- 存储温度范围(Ts):-55至+150℃
- 热阻(RBJA):625℃/W
- 在10mA电流下的正向电压(VF):0.9V
5. 功能详解和应用信息:
- 这些齐纳二极管主要用于电压稳定和过压保护。不同的型号对应不同的齐纳电压范围,可以根据具体的电压稳定需求选择合适的型号。
6. 封装信息:
- 文档提供了简化的顶视图和SOA-323封装的符号,这是一种小型表面贴装封装。