1N5820

1N5820

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

    DO201

  • 描述:

    肖特基二极管 3A DO201 80pF Vf=850mV Ifsm=15A -50℃~+150℃(TJ)

  • 数据手册
  • 价格&库存
1N5820 数据手册
1N5820 ... 1N5822 1N5820 ... 1N5822 Schottky Barrier Rectifiers Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2006-07-04 Nominal current Nennstrom Ø 4.5±0.1 3A 20...40 V ~ DO-201 1g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. ±0.5 Type 62.5 7.5 ±0.1 Ø 1.2±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ 1N5820 1N5821 1N5822 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) < 0.85 < 0.90 < 0.95 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 75°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t 3 A2) 15 A 2) 150 A 110 A2s -50...+150°C -50...+175°C Tj TS 1 2 IF = 3 A,Tj = 25°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 1N5820 ... 1N5822 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR RthA RthL Kennwerte < 2 mA < 20 mA < 25 K/W 1) < 8 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 1N5820 80 1 1N5821 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-2 1N5822 Tj = 25°C 0.2 VF 0.6 0.8 [V] 1.2 Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
1N5820 价格&库存

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