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DP3500SB

DP3500SB

  • 厂商:

    DC(东晨)

  • 封装:

    SMB

  • 描述:

    断态峰值电压(Vdrm):320V;漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):400V;维持电流(Ih):100mA;

  • 数据手册
  • 价格&库存
DP3500SB 数据手册
江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DP3500LB&DP3500SB 版本号 201603-A 半导体放电管 产品概述 半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电 流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。 产品特点 ●双向过电压电路保护 ●漏电小,可靠性高 ●抗浪涌能力强 ●低电容 ●快速反应,可恢复 应用领域 特征参数 符号 额定值 单位 VDRM 320 V VS IH 400 100 V mA DP3500半导体放电管主要应用于通 讯设备的过电压防护;家用电器,工控仪 器的过电压防护。 封装:SMB(DO-214AA),DO-15 电参数 参数名称 符号 测试条件 不动作电压 不动作电流 VDRM IDRM VS IS IH VT IT Co IPP I=5μA V=VDRM额定值 100KV/s 100KV/s 10A,10/1000μs IT =2.2A 额定值 1MHz,2V偏置 10/700μs 跃变电压 跃变电流 维持电流 通态电压 通态电流 极间电容 峰值浪涌电流 86-510-87136806 http://www.jsdgme.com 1 /7 最小 320 规范值 典型 最大 5 400 800 100 4 2.2 40 100 单位 V μA V mA mA V A pF A 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd ■ 热特性 符号 TJ TS 参数 工作结温范围 贮存温度范围 数值 -40~+150 -65~+150 单位 ℃ ℃ ■ 典型特性曲线 浪涌电流波形 IH 随温度变化率 VS随结温变化率 Co随偏置电压的变化率(相对于VR=1V) 86-510-87136806 http://www.jsdgme.com 2 /7 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 封装尺寸 SMB (DO-214AA) DO-15 命名规则 86-510-87136806 http://www.jsdgme.com 3 /7 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DP3500LB&DP3500SB 版本号 201603-A 半导体放电管 Description The SDT is a kind of overvoltage protection device.It is designed at the PNPN structure.High pulse current can cross SDT. Features and Benefits ●Low voltage and overshoot ●Low on-state voltage ●Fails short circuit when surged in excess of ratings 应用领域 Characteristic parameters symbol Rated value ●Does not degrade with use ●Low capacitance unit VDRM 320 V VS IH 400 100 V mA DP3500 are designed to protect communication equipment , appliances and Industrial And Control Instrumentation Equipment from damaging overvoltage transients. Package :SMB(DO-214AA),DO-15 Electrical Parameters Parameter symbol Test conditions Leakage Voltage Leakage Current Switching Voltage Switching Current Holding Current On-state Voltage On-state Current Off-state Capacitance VDRM IDRM VS IS IH VT IT Co I=5μA V=VDRM 100KV/s 100KV/s 10A,10/1000μs IT =2.2A Rating value 1MHz,2V offset Peak Pulse Current IPP 10/700μs 86-510-87136806 http://www.jsdgme.com 4 /7 Min. 320 Value Typ. Max. 5 400 800 100 4 2.2 40 100 unit V μA V mA mA V A pF A 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd ■ 热特性 Symbol TJ TS Parameter Operating Junction Temperature Storage Temperature Range Value -40~+150 -65~+150 Unit ℃ ℃ ■Typical characteristic curve Tr x Td Normalized DC holding current vs. case temperature Pulse waveform Vs change vs. junction temperature 86-510-87136806 http://www.jsdgme.com Co change vs. bias voltage (VR=1V) 5 /7 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd Package size SMB (DO-214AA) DO-15 Naming Rule 86-510-87136806 http://www.jsdgme.com 6 /7 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806 http://www.jsdgme.com 7 /7
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