Si24R2
Preliminary
超低功耗高性能 2.4GHz GFSK 无线发射器芯片
无线遥控、体感设备
主要特性
有源 RFID、NFC
工作在 2.4GHz ISM 频段
调制方式:GFSK/FSK
数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps
超低关断电流:300nA
超低待机电流:15uA
快速启动时间: ≤ 130uS
内部集成高 PSRR LDO
宽电源电压范围:1.9-3.6V
宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V
低成本晶振:16MHz±60ppm
最高发射功率:7dBm
发射电流(2Mbps): 13.5mA(0dBm)
最高 10MHz 四线 SPI 接口
智能电网、智能家居
无线音频
无线数据传输模块
低功耗自组网无线传感网节点
IREF
16
VSS
17
VCC
VSS
RFN
RFP
VDD_PA
封装图
15
14
13
12
11
10
XI
9
XO
8
VSS
VDD_D 19
7
VCC
20
6
IRQ
Si24R2
VCC 18
QFN20 封装或 COB 封装
完全兼容 Si24R1 发射功能
VSS
1
2
3
4
5
应用范围
结构框图
TX FIFOs
PA
Transmitter
SPI
RFP
GFSK/FSK
Modulator
RFN
Transmitter
Baseband
Regs
Map
Power
Management
RF PLL
CSN
SCK
MOSI
MISO
IRQ
CE
MISO
极少外围器件,降低系统应用成本
MOSI
SCK
发射数据硬件中断输出
CSN
CE
QFN20 4×4
Preliminary
Si24R2
术语缩写
术语
ARQ
ART
ARD
BER
CE
CRC
CSN
DPL
GFSK
IRQ
ISM
LSB
Mbps
MCU
MHz
MISO
MOSI
MSB
PA
PID
PLD
RX
TX
PWR_DWN
PWR_UP
RF_CH
RSSI
RX
RX_DR
SCK
SPI
TX
TX_DS
XTAL
描述
Auto Repeat-reQuest
Auto ReTransmission
Auto Retransmission Delay
Bit Error Rate
Chip Enable
Cyclic Redundancy Check
Chip Select
Dynamic Payload Length
Gaussian Frequency Shift Keying
Interrupt Request
Industrial-Scientific-Medical
Least Significant Bit
Megabit per second
Micro Controller Unit
Mega Hertz
Master In Slave Out
Master Out Slave In
Most Significant Bit
Power Amplifier
Packet Identity
Payload
RX
TX
Power Down
Power UP
Radio Frequency Channel
Received Signal Strength Indicator
Receiver
Receive Data Ready
SPI Clock
Serial Peripheral Interface
Transmitter
Transmit Data Sent
Crystal
中文描述
自动重传请求
自动重发
自动重传延迟
误码率
芯片使能
循环冗余校验
片选
动态载波长度
高斯频移键控
中断请求
工业-科学-医学
最低有效位
兆位每秒
微控制器
兆赫兹
主机输入从机输出
主机输出从机输入
最高有效位
功率放大器
数据包识别位
载波
接收端
发射端
掉电
上电
射频通道
信号强度指示器
接收机
接收数据准备就绪
SPI 时钟
串行外设接口
发射机
已发数据
晶体振荡器
Si24R2
Preliminary
目 录
1
简介 ...................................................................................................................................................................4
2
引脚信息 ...........................................................................................................................................................5
3
工作模式 ...........................................................................................................................................................6
3.1 状态转换图 .............................................................................................................................................................6
3.1.1 SHUTDOWN 工作模式 ..................................................................................................................................7
3.1.2 STANDBY 工作模式 ......................................................................................................................................7
3.1.3 IDLE-TX 工作模式 .........................................................................................................................................7
3.1.4 TX 工作模式 ...................................................................................................................................................7
4
数据包处理协议................................................................................................................................................8
4.1 包格式 .....................................................................................................................................................................8
4.2 通信模式 ................................................................................................................................................................9
4.2.1 NO ACK 模式 .................................................................................................................................................9
4.2.2 动态 PAYLOAD 长度与静态 PAYLOAD 长度 ............................................................................................9
4.3 兼容模式 ...........................................................................................................................................................9
5
SPI 数据与控制接口 ...................................................................................................................................... 10
5.1 SPI 命令 ................................................................................................................................................................10
5.2 SPI 时序 ................................................................................................................................................................10
6
寄存器映射表.................................................................................................................................................. 12
7
主要参数指标.................................................................................................................................................. 16
7.1 极限参数 ..............................................................................................................................................................16
7.2 电气指标 ..............................................................................................................................................................16
8
封装 ................................................................................................................................................................. 18
9
典型应用原理图.............................................................................................................................................. 20
9.1 典型应用原理图 ..................................................................................................................................................20
9.2 PCB 布线 ..............................................................................................................................................................21
10
订单信息 ....................................................................................................................................................... 23
11
技术支持与联系方式 .................................................................................................................................... 24
附: 典型配置方案.............................................................................................................................................. 25
Si24R2
Preliminary
1
简介
Si24R2 是一颗工作在 2.4GHz ISM 频段,专为低功耗无线场合设计,集成嵌入式发
射基带的无线发射芯片。工作频率范围为 2400~2525MHz,共有 126 个 1MHz 带宽的信
道。内部集成高 PSRR 的 LDO 电源,保证 1.9-3.6V 宽电源范围内稳定工作。
Si24R2 采用 GFSK/FSK 数字调制与解调技术。数据传输速率与 PA 输出功率都可以
调节,支持 2Mbps、1Mbps 和 250Kbps 三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时
间完成同样的数据收发,因此可以具有更低的功耗。
Si24R2 针对低功耗应用场合进行了特别优化,在关断模式下,所有寄存器值与 FIFO
值保持不变,关断电流仅为 300nA;在待机模式下,时钟保持工作,电流为 15uA,并
且可以在最长 130uS 时间内开始数据的发射。
Si24R2 操作方式非常方便, 只需要微控制器(MCU)通过 SPI 接口对芯片少数几
个寄存器配置即可以实现数据的发射通信。
Si24R2 具有非常低的系统应用成本,只需要一个 MCU 和少量外围无源器件即可以
组成一个无线数据发射系统。数字 I/O 兼容 2.5V/3.3V/5V 等多种标准 I/O 电压,可以与
各种 MCU 端口直接连接。
TX FIFOs
PA
RFP
Transmitter
GFSK/FSK
Modulator
RFN
Power
Management
Transmitt
er
Baseban
d
RF PLL
图 1-1 芯片结构框图
SPI
Regs
Map
CSN
SCK
MOSI
MISO
IRQ
CE
Si24R2
Preliminary
IREF
16
VSS
17
VSS
RFN
RFP
VDD_PA
引脚信息
VCC
2
15
14
13
12
11
10
XI
9
XO
8
VSS
VDD_D 19
7
VCC
20
6
IRQ
Si24R2
VCC 18
CE
3
4
5
MISO
2
CSN
1
MOSI
VSS
SCK
QFN20 4×4
图 2-1 Si24R2 引脚信息图(QFN20 4×4 封装)
表 2.1 引脚功能描述
端口
端口名称
端口类型
功能描述
1
CE
DI
芯片开启信号,激活 RX 或 TX 模式
2
CSN
DI
SPI 片选信号
3
SCK
DI
SPI 时钟信号
4
MOSI
DI
SPI 输入信号
5
MISO
DO
SPI 输出信号
6
IRQ
DO
可屏蔽中断信号,低电平有效
7,15,18
VCC
Power
电源(+1.9 ~ +3.6V,DC)
8,14,17,20
VSS
Power
地(0V)
9
XO
AO
晶体振荡器输出引脚
10
XI
AI
晶体振荡器输入引脚
11
VDD_PA
Power
给内置 PA 供电的电源输出引脚(+1.8V)
12
RFP
RF
天线接口 1
13
RFN
RF
天线接口 2
16
IREF
AI
基准电流
19
VDD_D
PO
内部数字电路电源,须接去耦电容
Die exposed
Power
地(0V)
,推荐与 PCB 大面积地相连
Si24R2
Preliminary
3
工作模式
3.1 状态转换图
Si24R2 芯片内部有状态机,控制着芯片在不同工作模式之间的转换。
Si24R2 可配置为 Shutdown、Standby、Idle-TX、TX 四种工作模式。状态转换图如
图 3-1 所示。
发 发 发 发
VDD>=1.9V 发 发 发 发
100ms
发 发 发 发
Shutdown
PWR_UP=1
发 发 发 发 发
1.5~2ms
PWR_UP=
0
PWR_UP=
0
发 发 发 发
Standby
CE=0
PRIM_RX=0,CE=
1
TX FIFO发 发 发
发 发 发 发 发 发
Idle-TX
TX FIFO发 发 发 发 CE=1
发 发 发 发 发 发 发 发 发 CE=0
TX FIFO 发 发 发 发 CE=1
发 发 发 发 发 120~130us
发 发 发 发
TX
TX FIFO发 发 发
发 CE=1
图 3-1 Si24R2 工作模式切换图
Preliminary
Si24R2
3.1.1 Shutdown 工作模式
在 Shutdown 工作模式下,Si24R2 所有发射功能模块关闭,芯片停止工作,消耗电
流最小,但所有内部寄存器值和 FIFO 值保持不变,仍可通过 SPI 实现对寄存器的读写。
设置 CONFIG 寄存器的 PWR_UP 位的值为 0,芯片立即返回到 Shutdown 工作模式。
3.1.2 Standby 工作模式
在 Standby 工作模式,只有晶体振荡器电路工作,保证了芯片在消耗较少电流的同
时能够快速启动。设置 CONFIG 寄存器下的 PWR_UP 位的值为 1,芯片待时钟稳定后
进入 Standby 模式。芯片的时钟稳定时间一般为 1.5~2ms,与晶振的性能有关。当引脚
CE=1 时,芯片将由 Standby 模式进入到 Idle-TX 模式,当 CE=0 时,芯片将由 Idle-TX、
TX 模式返回到 Standby 模式。
3.1.3 Idle-TX 工作模式
在 Idle-TX 工作模式下,晶体振荡器电路及时钟电路工作。相比于 Standby 模式,
芯片消耗更多的电流。当发送端 TX FIFO 寄存器为空,并且引脚 CE=1 时,芯片进入到
Idle-TX 模式。在该模式下,如果有新的数据包被送到 TX FIFO 中,芯片内部的电路将
立即启动,切换到 TX 模式将数据包发送。
在 Standby 和 Idle-TX 工作模式下,所有内部寄存器值和 FIFO 值保持不变,仍可
通过 SPI 实现对寄存器的读写。
3.1.4 TX 工作模式
当需要发送数据时,需要切换到 TX 工作模式。芯片进入到 TX 工作模式的条件为:
TX FIFO 中有数据, CONFIG 寄存器的 PWR_UP 位的值为 1,PRIM_RX 位的值为 0,
同时要求引脚 CE 上有一个至少持续 10us 的高脉冲。芯片不会直接由 Standby 模式直接
切换到 TX 模式,而是先立即切换到 Idle-TX 模式,再由 Idle-TX 模式自动切换到 TX 模
式。Idle-TX 模式切换到 TX 模式的时间为 120us~130us 之间,但不会超过 130us。单包
数据发送完成后,如果 CE=1, 则由 TX FIFO 的状态来决定芯片所处的工作模式,当 TX
FIFO 还有数据,芯片继续保持在 TX 工作模式,并发送下一包数据;当 TX FIFO 没有
数据,芯片返回 Idle-TX 模式;如果 CE=0,立即返回 Standby 模式。数据发射完成后,
芯片产生数据发射完成中断。
Si24R2
Preliminary
4
数据包处理协议
Si24R2 基于包通信,数据包格式与 Si24R1 相同。芯片内部集成基带处理引擎,可
以不需要外部微控制器干预,自动实现数据包的处理。基带处理单元支持 1 到 32 字节
动态数据长度,数据长度在数据包内。也可以采用固定数据长度,通过寄存器指定;基
带处理单元完成数据的自动解包、打包。该处理单元内部有 3 级 FIFO,可以一次发射 3
包数据。
4.1 包格式
一个完整的数据包包括前导码、地址、包控制字、负载数据以及 CRC。如图 4-1 显
示为一个完整的包。
前导码
地址
包控制字
负载数据
CRC
图 4-1 一个完整的数据包
前导码字段主要用于接收数据同步,发射时芯片自动附上,对用户透明。
地址字段为接收数据方地址,只有当该地址与芯片的地址寄存器中地址相同时才会
接收。地址长度可以通过配置寄存器 AW 配置为 3、或 4、或 5 字节。
包控制字段长度为 9bit, 结构如图 4-2。
数据包长度 6bit
PID 2bit
NO_ACK 1bit
图 4-2 包控制字段格式
数据包长度子字段指定数据包的长度,可以为 0 到 32 字节。
例如:000000 = 0byte(包为空)
100000 = 32 byte(数据包长度为 32 字节)
PID 子字段告知接收端这个包是一个新的包还是一个重发的包,可以防止接收端多
次接收同一个包。发射方通过 SPI 写 FIFO,PID 的值自动累加。
单发射芯片不需要接收 ACK 信号,NO_ACK 子字段固定为 1,则表明发射方告知接收
端不需要回 ACK 确认信号。负载数据字段为发射数据内容,可以最长 32 字节。
CRC 字段为包的 CRC 值,CRC 支持 8bit 和 16bit 两种,CRC 的长度通过 CONFIG 寄
存器中的 CRCO 位配置。
数据包中应尽量避免出现长串的 0 或 1,否则会容易受到干扰,影响通讯质量。
Si24R2
Preliminary
4.2 通信模式
在 TX 模式下,发送端自动将前导码、地址、包控制字、负载数据、CRC 打包。通过
射频模块将信号调制通过天线发射。
4.2.1 NO ACK 模式
用 W_TX_PAYLOAD_NOACK 命令对发送方写 TX PAYLOAD 时,数据包中
NO_ACK 标志位置位,发送端发送完一包数据后,立即产生 TX_DS 中断,并且开始
准备发送下一包数据。接收端接收到数据后判断 NO_ACK 标志置位,且数据有效,则
产生 RX_DR 中断,此时一帧数据通信完成,不再回复 ACK 信号。
4.2.2 动态 PAYLOAD 长度与静态 PAYLOAD 长度
发送端通过配置 FEATURE 寄存器中的 EN_DPL 位与 DYNPD 寄存器中的 DPL_P0
位,进入动态负载长度模式,发送的数据包中包控制字段中前 6 位为要发送的数据长度。
接收端配置 FEATURE 寄存器中的 EN_DPL 位,并且开启 DYNPD 寄存器中相应管
道的动态使能后,自动以数据包中包控制字中的数据长度来接收数据。因此每次接收到
负载数据长度可以不同,并且可以通过 R_RX_PL_WID 命令来读出负载数据的长度。
如果默认为静态负载长度,发送端每次传输的负载长度必须一致,且与接收方事先配置
好的 RX_PW_Px 寄存器值相同。
4.3 兼容模式
Si4R2 可以提供另一种数据包格式,发出的包格式如下:
前导码
地址
负载数据
CRC
在兼容模式下,需要设置寄存器 EN_AA =0,该模式下不支持动态负载长度模式,
设置 DPL_Px=0 及 EN_DPL=0。在兼容模式下,接收方需要设置 RX_PW_Px 为发送方
发送的包长度值,且设置 DPL_Px=0 及 EN_DPL=0。另外,数据速率只能设置为 1Mbps
或 250kbps。
Si24R2
Preliminary
5
SPI 数据与控制接口
芯片采用标准的四线 SPI 接口,最高读写速度为 10Mb/S。外部微控制器可以通过
SPI 接口对芯片进行配置,包括读写功能寄存器、读写 FIFO、读芯片状态、清除中断等。
5.1 SPI 命令
SPI 命令参见表 6-1。CSN 从高电平翻转为低电平,SPI 接口开始工作。每一次 SPI
操作,MISO 输出的第一字节为状态寄存器的值,之后通过命令来确定是否输出值(不输
出为高阻态)。命令格式中命令字按从 MSBit 到 LSBit 的顺序输入,数据格式中按从
LSByte 到 MSByte 的顺序,每字节中按从 MSBit 到 LSBit 的顺序输入。详细请参考 SPI
时序,图 6-1 及图 6-2。
表 6-1
Command word
Command name
# Data bytes
操作
1 to 5 LSByte first
读寄存器命令,AAAAA表示寄存器地址
(binary)
R_REGISTER
000A AAAA
(参考寄存器表)。
W_REGISTER
001A AAAA
1 to 5 LSByte first
写寄存器命令,AAAAA表示寄存器地址
(参考寄存器表),只允许Shutdown、
Standby、Idle-TX模式下操作。
FLUSH_TX
1110 0001
0
清空TX FIFO,适用于发射模式。
REUSE_TX_PL
1110 0011
0
适用于发送方,清空TX FIFO或对FIFO写
入新的数据后不能使用该命令。
W_TX_PAYLOAD_NO ACK
1011 0000
1 to 32 LSByte first
适用于发射模式,使用这个命令同时需要
将AUTOACK位置1。
NOP
1111 1111
无操作。可用于返回STATUS值。
0
5.2 SPI 时序
SPI 操作包括基本的读写操作以及其他的命令操作,时序上如图 5-1 及图 5-2。
注:只能在 Shutdown、Standby 和 Idle-TX 模式下才能对寄存器进行配置。
CSN
SCK
MOSI
MISO
C7
C6
C5
C4
C3
C2
C1
C0
S7
S6
S5
S4
S3
S2
S1
S0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
图 5-1 SPI 写操作
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
Si24R2
Preliminary
CSN
SCK
MOSI
MISO
C7
C6
C5
C4
C3
C2
C1
C0
S7
S6
S5
S4
S3
S2
S1
S0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
图 5-2 SPI 读操作
Tcwh
CSN
Tcc
Tch
Tcl
Tcch
SCK
Tdc
MOSI
Tdh
C7
C6
Tcsd
MISO
C0
Tcd
Tcdz
S7
S0
图 5-3 SPI 典型时序
表 5-1 为 SPI 典型时序参数。
表 5-1 SPI 时序参数
Symbol
Parameters
Min
Max
Units
Tdc
Data to SCK Setup
2
ns
Tdh
SCK to Data Hold
2
ns
Tcsd
CSN to Data Valid
42
ns
Tcd
SCK to Data Valid
58
ns
Tcl
SCK Low Time
40
ns
Tch
SCK High Time
40
ns
Fsck
SCK Frequency
0
Tr,Tf
SCK Rise and Fall
Tcc
CSN to SCK Setup
2
ns
Tcch
SCK to CSN Hold
2
ns
Tcwh
CSN Inactive time
50
ns
Tcdz
CSN to Output High Z
10
MHz
100
ns
42
ns
Si24R2
Preliminary
寄存器映射表
6
Address
(Hex)
Mnemonic
00
CONFIG
Bit
Reset Value
Type
配置寄存器
Reserved
7
0
R/W
保留,0
Reserved
6
0
R/W
保留,0
MASK_TX_DS
5
0
R/W
发射中断屏蔽控制
0:发射中断使能,TX_DS中断标志在IRQ
引脚上产生中断信号,低电平有效
1:发射中断关闭,TX_DS中断标志不影
响IRQ引脚输出
Reserved
4
0
R/W
保留,0
EN_CRC
3
1
R/W
使能CRC。如果EN_AA不全为零时,
EN_CRC必须为1。
0:关闭CRC
1:开启CRC
CRCO
2
0
R/W
CRC长度配置,
0:1byte
1:2 bytes
1
0
R/W
关断/开机模式配置
0:关断模式
1:开机模式
0
0
R/W
固定为0
7:6
Reserved
R
5:0
111111
R/W
PWR_UP
PRIM_RX
01
Description
EN_AA
02
Reserved
03
SETUP_AW
Reserved
AW
NOACK时设置为全1
兼容模式下设置为全0
地址宽度配置
7:2
000000
R/W
保留,000000
1:0
11
R/W
发射方地址宽度
00:错误值
Si24R2
Preliminary
01:3bytes
10:4bytes
11:5bytes
04
Reserved
05
RF_CH
Reserved
射频信道
7
0
R/W
保留,0
6:0
0000010
R/W
设置芯片工作时的信道,分别对应第
0~125个信道;信道间隔为1MHz,默认
为02即2402MHz
RF_CH
06
射频配置
RF_SETUP
7
0
R/W
为’1’时,使能恒载波发射模式,用来测
试发射功率
6
0
R/W
保留,0
5
0
R/W
设置射频数据率为250kbps 、1Mbps或
2Mbps,与RF_DR_HIGH共同控制
4
0
R/W
保留字,必须为0
3
1
R/W
设置射频数据率
[RF_DR_LOW, RF_DR_HIGH]:
00:1Mbps
01:2Mbps
10:250kbps
11:保留
2:0
110
R/W
RF_PWR
设置TX发射功率
111: 7dBm
110: 4dBm
101: 3dBm
100: 1dBm
011: 0dBm
010:-4dBm
001:-6dBm
000:-12dBm
STATUS
状态寄存器(SPI操作的第一个字节,状态
寄存器值通过MISO串行输出)。
CONT_WAVE
Reserved
RF_DR_LOW
PLL_LOCK
RF_DR_HIGH
07
Reserved
7
0
R/W
保留,0
Reserved
6
0
R/W
保留,0
5
0
R/W
发射端发射完成中断位,如果是ACK模
式,则收到ACK确认信号后TX_DS位
置’1’,写’1’清除。
Reserved
4:1
0
R/W
保留,0
TX_FULL
0
0
R
TX_DS
08
Reserved
TX FIFO满标志位。
Si24R2
Preliminary
09
Reserved
0A
Reserved
0B
Reserved
0C
Reserved
0D
Reserved
0E
Reserved
0F
Reserved
10
39:0
TX_ADDR
11
Reserved
12
Reserved
13
Reserved
14
Reserved
15
Reserved
16
Reserved
17
FIFO_STATUS
Reserved
0xE7E7E
7E7E7
R/W
FIFO状态
保留,0
7
0
R/W
6
0
R
只用于发射端,FIFO数据重新利用
当用REUSE_TX_PL命令后,发射上次已
成功发射的数据,通过
W_TX_PAYLOAD或FLUSH TX命令关
闭该功能
5
0
R
TX FIFO满标志
1:TX FIFO满
0:TX FIFO可写
4
1
R
TX FIFO空标志
1:TX FIFO为空
0:TX FIFO有数据
3:0
00
R/W
TX_REUSE
TX_FULL
TX_EMPTY
Reserved
发射方的发射地址(LSByte最先写入),如
果发射放需要收ACK确认信号,则需要
配置RX_ADDR_P0的值等于
TX_ADDR,并使能ARQ。
保留,0000
Si24R2
Preliminary
1C
1D
使能动态负载长度
DYNPD
Reserved
7:1
0000000
DPL_P0
0
0
FEATURE
1: 使能动态负载长度
R/W
特征寄存器
Reserved
7:3
0
R/W
保留,00000
EN_DPL
2
0
R/W
1:使能动态负载长度
Reserved
1:0
0
R/W
保留,01
Si24R2
Preliminary
7
主要参数指标
7.1 极限参数
工作条件
最小值
最大值
单位
-0.3
3.6
V
0
V
-0.3
5.25
V
VSS to VDD
VSS to VDD
V
100
mW
电源电压
VDD
VSS
输入电压
VI
输出电压
VO
总功耗
温度
工作温度范围
-40
+85
℃
存储温度
-40
+125
℃
ESD 性能
HBM(Human Body Model): Class 1C
7.2 电气指标
条件:VDD=3V,VSS=0V TA=27℃,晶振 CL=12pF
符号
参数
最小值
典型值
最大值
单位
VDD
电源电压范围
1.9
3.6
V
ISHD
Shutdown 模式电流
0.3
µA
ISTB
Standby 模式电流
15
µA
IIDLE
Idle-TX 模式电流
380
µA
ITX@7dBm
TX 模 式 电 流
@7dBm
23
mA
ITX@4dBm
TX 模 式 电 流
@4dBm
17
mA
ITX@0dBm
TX 模 式 电 流
@0dBm
13.5
mA
ITX@-6dBm
TX 模 式 电 流
@-6dBm
10
mA
ITX@-12dBm
TX
模 式 电 流
8.5
mA
OP 参数
备注
Si24R2
Preliminary
@-12dBm
RF 参数
FOP
RF 频率范围
2400
FCH
RF 信道间隔
1
ΔFMOD(2Mbps)
调制频率偏移
±330
KHz
ΔFMOD(1M/250Kbps)
调制频率偏移
±175
KHz
RGFSK
数据速率
250
2000
Kbps
PRF
RF 输出功率
-30
7
dBm
PBW@2Mbps
调制带宽
2.1
MHz
PBW@1Mbps
调制带宽
1.1
MHz
PBW@250Kbps
调制带宽
0.9
MHz
PRF1
1st
邻道功率 2MHz
-20
dBm
PRF2
2nd
邻道功率 4MHz
-46
dBm
2525
MHz
MHz
TX 参数
晶振参数
FXO
晶振频率
16
MHz
ΔF
频偏
±60
ppm
ESR
等效损耗电阻
100
Ω
2Mpbs 时至
少为 2MHz
Si24R2
Preliminary
封装
TOP VIEW
D
E
SIDE VIEW
A1
A
U
8
Si24R2
Preliminary
图 8-1 顶视图
SYMBOL
A
A1
b
D
D2
e
E2
E
Ne
Nd
L
h
U
L/F 载体尺寸(mil)
MIN
MILLIMETER
NOM
MAX
0.70
0.75
0.80
—
0.02
0.05
0.18
0.25
0.30
3.90
4.00
4.10
2.55
2.65
2.75
0.50BSC
2.55
2.65
2.75
3.90
4.00
4.10
2.00BSC
2.00BSC
0.35
0.40
0.45
0.30
0.35
0.40
0.20 REF.
114×114
图 8-2 封装尺寸
Si24R2
Preliminary
9
典型应用原理图
9.1 典型应用原理图
图 9-1 典型应用原理图
表 9-1 元器件 BOM 表
器件名称
数值
形式
描述
C1
10nF(100uF)*
0402
X7R, +/- 10%
C2
1nF
0402
X7R, +/- 10%
C3
33nF
0402
X7R, +/- 10%
C4
12~22pF
0402
NPO, +/- 2%
C5
12~22pF
0402
NPO, +/- 2%
C6
2.2nF
0402
X7R, +/- 10%
C7
4.7pF
0402
NPO, +/- 0.25pF
C8
1.5pF
0402
NPO, +/- 0.1pF
C9
1.0pF
0402
NPO, +/- 0.1pF
L1
6.8nH
0402
chip inductor, +/- 5%
L2
3.9nH
0402
chip inductor, +/- 5%
L3
10nH
0402
chip inductor, +/- 5%
Si24R2
Preliminary
R1
22KΩ
0402
R2
Not mouted
0402
Y1
16MHz
U1
+/- 1%
+/-60ppm, CL=12pF
QFN20 04×04
注:*:当系统无法提供稳定电源电压时,例如采用纽扣电池供电,推荐系统采用
100uF 的电容,以稳定电源电压。同时需要注意电容不能有大的漏电流。
引脚 CE,CSN,SCK,MOSI,MISO,IRQ 为与 MCU 的接口,当 MCU 不操作 Si24R2
时,输出引脚 MISO 和 IRQ 悬空,输入引脚 CE,CSN,SCK,MOSI 必须通过 MCU 接
口连接电源或地。
9.2 PCB 布线
下图所示 PCB 布线是上述电路典型原理图的 PCB 布线例子,这里的 PCB 板均为
FR-4 双面板,在顶层和底层各有一个敷铜面,顶层和底层的敷铜面通过大量过孔连接,
而在天线的下面则没有铜面。芯片底部为地,为了保证更好的 RF 性能,推荐芯片底部
Die Exposed 与 PCB 大面积地相连。
图 9-2 片上天线顶层丝印图(0402 元件)
Preliminary
Si24R2
图 9-3 片上天线顶层布线图(0402 元件)
图 9-4 片上天线底层布线图
Si24R2
Preliminary
10
订单信息
封装标志
Si24R2
XXXXXXX
Si24R2: 芯片代码
AA: 封装工厂代码,为 HT、NJ 或 WA,也简写为 H、N 或 W
BB: 封装日期代码
CCC: 生产批次代码
表 10-1 订单信息表
订单代码
封装
包装
最小单位
SI24R2-Sample
4×4mm 20-pin QFN
Box/Tube
5
SI24R2-P
4×4mm 20-pin QFN
Tray
4K
SI24R2-P
4×4mm 20-pin QFN
Tape and reel
4K
Preliminary
11
Si24R2
技术支持与联系方式
无锡公司
无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 技术支持中心
地址:无锡市新区菱湖大道 200 号传感网国际创新园 C 座
邮编:214135
电话:0510-85385945
传真:0510-85385947
邮箱:sales@csmic.ac.cn
南京公司
南京中科微电子有限公司 技术支持中心
地址:南京市玄武区玄武大道 699-27 号徐庄软件园研发三区 B 幢 B201
邮编:210042
电话:025-68517778
传真:025-68517764
邮箱:sales@csmic.ac.cn
Preliminary
Si24R2
附: 典型配置方案
发射方配置(Si24R2):
spi_write_buf( TX_ADDR, TX_ADDRESS, 5);
// 写入发送地址
spi_rw_reg( FEATURE, 0x01); // 使能 W_TX_PAYLOAD_NOACK 命令
spi_write_buf(W_TX_PAYLOAD_NOACK, buf, TX_PLOAD_WIDTH);
spi_rw_reg(SETUP_AW, 0x03);
// 5 byte Address width
spi_rw_reg( RF_CH, 0x40);
// 选择射频通道 0x40
spi_rw_reg(RF_SETUP, 0x08);
// 数据传输率 2Mbps
spi_rw_reg( CONFIG, 0x0e);
//配置为发射模式、CRC 为 2Bytes
CE = 1;
// 写 FIFO
接收方配置(Si24R1)
:
spi_write_buf( RX_ADDR_P0, TX_ADDRESS, 5); // 接收地址
spi_rw_reg( EN_RXADDR, 0x01);
// 使能接收通道 0
spi_rw_reg( RF_CH, 0x40);
// 选择射频信道
spi_rw_reg( RX_PW_P0, TX_PLOAD_WIDTH);
//设置接收通道 0 负载数据宽度
spi_rw_reg( RF_SETUP, 0x08);
// 数据传输率 2Mbps,-18dbm TX power
spi_rw_reg( CONFIG, 0x0f);
// 配置为接收方、CRC 为 2Bytes
CE = 1;
很抱歉,暂时无法提供与“Si24R2”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货- 国内价格
- 1+3.22920
- 10+2.88360
- 30+2.71080
- 100+2.53800
- 500+2.43000
- 1000+2.37600