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FHDS21

FHDS21

  • 厂商:

    FH(风华)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,I...

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FHDS21 数据手册
FHT8050 APPROVAL SHEET FHT8050 承认书 CUSTOMER NAME 客户名称: PRODUCT NAME 产品名称: SOT-23 三极管 CUSTOMER PART NAME 客户型号: FENGHUA PART NAME 风华型号: DATE 日期: 2008 年 10 月 21 日 CUSTOMER 客户 APPROVAL 承认 DESIGNER 设计/开发 FHT8050Y-E CHECKER 审核 MANUFACTURER 制造商 APPROVAL 承认 APPROVER 批准 DESIGNER 拟制 CHECKER 审核 AUTHORITY 批准 广东风华高新科技股份有限公司 GUANGDONG FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY(HOLDING ) CO.,LTD 2008 年第 2 版 All Rights Reserved 广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 Low Frequency Power Amplifier Transistors 低频功率放大三极管 NPN Silicon (FHT8050) FEATURES 特点 · Low Frequency Power Amplifier 低频功率放大 · Suitable for Driver Stage of Small Motor 小马达驱动 · Complementary to FHT8050 与 FHT8550 互补 MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大额定值 CHARACTERISTIC 特性参数 Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 Collector-Emitter Voltage 集电极-发射极电压 Symbol 符号 V CBO V CEO Rating 额定值 40 25 Unit 单位 Vdc Vdc Emitter-Base Voltage 发射极-基极电压 V EBO 5.0 Vdc Collector Current—Continuous 集电极电流-连续 Base Current 基极电流 Ic IB 800 160 mAdc mAdc Collector Power Dissipation 集电极耗散功率 PC 300 mW Junction Temperature 结温 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 储存温度 Tstg -55~150 ℃ DEVICE MARKING 打标 hFE(1) FHT8050O=7O(85~200),FHT8050Y=7Y(160~300),FHT8050G=7G(280~360) FHT8050D=7Y.(200~350) ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为 25℃) Symbol 符号 ICBO Test Condition 测试条件 VCB=30V,IE=0 IEBO VEB=5V,IC=0 — — 0.1 µA V(BR)CBO IC=100µA 40 — — V V(BR)CEO IC=10mA 25 — — V V(BR)EBO IE=100µA 5 — — V hFE (1) hFE (2) VCE=1V,IC=100mA VCE=1V,IC=800mA 85 40 — — 360 — — IC=500mA,IB=50mA — — 0.6 V VBE VCE=1V,IC=10mA — 0.8 1.0 V Transition Frequency 特征频率 fT VCE=5V,IC=10mA 100 120 — MHz Collector Output Capacitance 输出电容 Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz — 13 30 pF Characteristic 特性参数 Collector Cutoff Current 集电极截止电流 Emitter Cutoff Current 发射极截止电流 Collector-Base Breakdown Voltage 集电极-基极击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极-发射极击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage 发射极-基极击穿电压 DC Current Gain 直流电流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极-发射极饱和压降 Base-Emitter Voltage 基极-发射极电压 V CE(sat) Min TYP Max Unit 最小值 典型 最大值 单位 — — 0.1 µA Page 1 of 3 *2008 年第 2 版* All Rights Reserved Http:www.xingumicro.com 广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 FHT8050 Page 2 of 3 *2008 年第 2 版* All Rights Reserved Http:www.xingumicro.com 广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 SOT-23 封装外形尺寸(SOT-23 DIMENSION) Page 3 of 3 *2008 年第 2 版* All Rights Reserved Http:www.xingumicro.com
FHDS21 价格&库存

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