FHS3906-ME
PNP Transistor
描述 DESCRIPTIONS
SOT-23 塑封封装 PNP 三极管。PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
应用 APPLICATIONS
常规应用、开关电路。General purpose application,switching.
引脚说明 PIN ASSIGNMENT
内部等效电路 Equivalent Circuit
型号构成 Name rule
1
BASE
2
EMITTER
3
COLLECTOR
基本名称
辅助识别代码
Name
Additional code
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
第六部分
第七部分
Part 1
Part 2
Part 3
Part 4
Part 5
Part 6
Part 7
品牌
产品类别
产品型号
分档
分隔号
封装代码
附加码(备用)
Brand
Type
Model
Value
Separatrix
Package
Extra-code
E:ROHS
FH
S:开关三极管
3906
“—”
M: SOT-23
G: 绿色封装
Green Package
版本:1
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PNP Transistor
额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
特性参数
符号
额定值
单位
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
VCBO
-40
V
VCEO
-40
V
VEBO
-5
V
IC
-200
mA
ICM
-800
mA
PC
225
mW
Tj
150
℃
Tstg
﹣55~150
℃
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Emitter-Base Voltage
集电极电流
Collector Current
集电极电流-峰值
Collector Current - Peak
集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
结温
Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature
版本:1
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PNP Transistor
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为 25℃)
特性参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
BVCBO
Ic= -0.01mA,IE=0
-40
V
BVCEO
Ic= -1mA,IB=0
-40
V
BVEBO
IE= -0.01mA,Ic=0
-5
V
IBL
VCE= -30V,VEB=-3V
-0.05
μA
ICEX
VCE= -30V,VEB=-3V
-0.05
μA
集电极-基极反向击穿电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极反向击穿电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极反向击穿电压
Emitter-Base Breakdown Voltage
基极截止电流
Base Cut-off Current
集电极截止电流
Collector Cut-off Current
直流电流增益
DC Current Gain(Note *)
HFE
集电极-发射极饱和压降
Collector-Emitter Saturation
VCE(sat)
Voltage(Note *)
基极-发射极饱和压降
Base-Emitter Saturation Voltage
Gain Bandwidth Product
共基极输出电容
Collector Output Capacitance
噪声系数
Noise factor
延迟时间
Delay Time
上升时间
Rise Time
存储时间
Storage Time
下降时间
Fall Time
60
IC = -1.0 mA, VCE = -1.0 V
80
IC = -10 mA, VCE = -1.0 V
100
IC = -50 mA, VCE = -1.0 V
60
IC = -100 mA, VCE = -1.0 V
30
300
Ic= -10mA,IB= -1mA
-0.25
Ic= -50mA,IB=- 5mA
-0.4
Ic= -10mA,IB= -1mA
VBE(sat)
(Note *)
电流增益-带宽乘积
IC = -0.1 mA, VCE = -1.0 V
-0.65
Ic= -50mA,IB=- 5mA
V
-0.85
-0.95
V
fT
Ic= -10mA,VCE= -20V
Cob
VCB= -5V, IE=0,
f = 1MHz
4.5
PF
NF
VCE=-5V,IC=-0.1mA,
f=15.7KHz, Rg=1KΩ
4
dB
td
tr
VCC =- 3.0 V,
VBE = -0.5 V,
IC = -10 mA,
IB1 = -1.0 mA
MHz
250
35
35
ns
ts
tf
VCC = -3.0 V,
IC = -10 mA,
IB1 = IB2 = -1.0 mA
225
75
Note *: Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%.
版本:1
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PNP Transistor
典型特性 TYPICAL CHARACTERISTICS
版本:1
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FHS3906-ME
PNP Transistor
外形尺寸 DIMENSION
A
E
1.90 REF
I
5°
M
0-0.1
+0.05
N
7°
O
7°
B
1.30±0.10
F
2.90±0.10
J
0.10
C
0.55±0.10
G
1.00±0.10
K
0.2 MIN
L
0.08±0.02
D
版本:1
2.40±0.10
0.40±0.05
H
-0.05
0.40
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PNP Transistor
打标 DEVICE MARKING
TYPE NAME
DATE CODE
TYPE
FHS3906-ME
hFE
100~300
MARK
2A
包装信息 PACKAGE INFORMATION
材料名称
颜色
尺寸
数量
备注
Material Name
Color
Size
Quantity
Note
卷盘
蓝色
Reel
Blue
7"*8mm
3K/Reel
内盒
黄色
Inner Case
Yellow
外箱
黄色
Outer Box
Yellow
标签
白色
Label
White
版本:1
185*185*140mm
460*400*210mm
30K/盒(10 盘/盒)
30K/Case(10 Reel/ Case)
180K/箱(6 盒/箱)
180K/Box(6 Case/Box)
OHO2
OXO2
贴卷盘、内盒、外箱
68*40mm
——
Label on reel、inner case、
outer box
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