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FHTA8550Y-ME

FHTA8550Y-ME

  • 厂商:

    FH(风华)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;

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FHTA8550Y-ME 数据手册
FHTA8550-ME PNP Transistor „ 描述 DESCRIPTIONS SOT-23 塑封封装 PNP 三极管。PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. „ 应用 APPLICATIONS 常规应用、开关电路。General purpose application,switching. „ 引脚说明 PIN ASSIGNMENT „ 内部等效电路 Equivalent Circuit „ 型号构成 Name rule 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR 基本名称 辅助识别代码 Name Additional code 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 第六部分 第七部分 Part 1 Part 2 Part 3 Part 4 Part 5 Part 6 Part 7 品牌 产品类别 产品型号 分档 分隔号 封装代码 附加码(备用) Brand Type Model Value Separatrix Package Extra-code FH 版本:1 T:三极管 A8550 (0.5A) E:ROHS O Y G “—” M: SOT-23 G: 绿色封装 Green Package 第 1 页 共 6 页 FHTA8550-ME PNP Transistor „ 额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted) 特性参数 符号 额定值 单位 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT V CBO -40 Vdc V CEO -25 Vdc V EBO -5.0 Vdc Ic -0.5 Adc IB -160 PC 300 mW Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage 发射极-基极电压 Emitter-Base Voltage 集电极电流-连续 Collector Current-Continuous 基极电流 mAdc Base Current 集电极耗散功率 Collector Power Dissipation 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature Range 版本:1 第 2 页 共 6 页 FHTA8550-ME PNP Transistor „ 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为 25℃) Characteristic Symbol Test Condition Min TYP Max Unit 特性参数 符号 测试条件 最小值 典型 最大值 单位 ICBO VCB=-30V,IE=0 — — -0.1 µA IEBO VEB=-5V,IC=0 — — -0.1 µA V(BR)CBO IC=-100µA -40 — — V V(BR)CEO IC=-10mA -25 — — V V(BR)EBO IE=-100µA -5 — — V 直流电流增益 hFE (1) VCE=-1V,IC=-100mA 85 — 360 — DC Current Gain hFE (2) VCE=-1V,IC=-500mA 40 — — IC=-500mA,IB=-50mA — — -0.6 V VBE VCE=-1V,IC=-10mA — -0.8 -1.0 V fT VCE=-5V,IC=-10mA 100 120 — MHz Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz — 13 30 pF 集电极截止电流 Collector Cutoff Current 发射极截止电流 Emitter Cutoff Current 集电极-基极击穿电压 Collector-Base Breakdown Voltage 集电极-发射极击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage 发射极-基极击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage 集电极-发射极饱和压降 Collector-Emitter Saturation Voltage 基极-发射极电压 Base-Emitter Voltage 特征频率 Transition Frequency 输出电容 Collector Output Capacitance 版本:1 V CE(sat) 第 3 页 共 6 页 FHTA8550-ME PNP Transistor „ 典型特性 TYPICAL CHARACTERISTICS 版本:1 第 4 页 共 6 页 FHTA8550-ME PNP Transistor „ 外形尺寸 DIMENSION A E 1.90 REF I 5° M 0-0.1 +0.05 N 7° O 7° B 1.30±0.10 F 2.90±0.10 J 0.10 C 0.55±0.10 G 1.00±0.10 K 0.2 MIN L 0.08±0.02 D „ 2.40±0.10 0.40±0.05 H -0.05 0.40 打标 DEVICE MARKING TYPE NAME 版本:1 DATE CODE TYPE FHTA8550O-ME FHTA8550Y-ME FHTA8550G-ME hFE 85~200 160~300 280~400 MARK 9O 9Y 9G 第 5 页 共 6 页 FHTA8550-ME PNP Transistor „ 包装信息 PACKAGE INFORMATION 材料名称 颜色 尺寸 数量 备注 Material Name Color Size Quantity Note 卷盘 蓝色 Reel Blue 7"*8mm 3K/Reel 内盒 黄色 Inner Case Yellow 外箱 黄色 Outer Box Yellow 标签 白色 Label White 版本:1 185*185*140mm 460*400*210mm 30K/盒(10 盘/盒) 30K/Case(10 Reel/ Case) 180K/箱(6 盒/箱) 180K/Box(6 Case/Box) OHO2 OXO2 贴卷盘、内盒、外箱 68*40mm —— Label on reel、inner case、 outer box 第 6 页 共 6 页
FHTA8550Y-ME 价格&库存

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FHTA8550Y-ME
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