HP120N04(BGG)

厂商：
HL(豪林)
封装：
TO-220-3
描述：

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HP120N04 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HP120N04 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching . Features ● VDS=40V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

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