HDF1060N(HEO)

HDF1060N 10A 、6500V 快速恢复二极管 描述 HDF1060N一款超快恢复二极管器件，采用了先进 的硅外延平面工艺制作，在工艺参数和图形结构上都进行了精心 的设计，使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复 时间。 精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺 杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用 性和可靠性指标。 该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转 换器的输出整流级，同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流 二极管。 3 2 特点 ∗ 35ns 的超快恢复时间 ∗ 低的正向压降 ∗ 漏电流小 ∗ 150°C 工作结温 极限参数 参数名称 符号 参数范围 单位 反向重复峰值电压 VRRM 650 V 正向平均整流电流 IF(AV) 10.0 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms IFSM 120 A 工作结温范围 TJ -50～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -50～+150 °C 符号 参数范围 单位 RθJC 2.0 °C/W 热阻特性 参数名称 芯片对管壳热阻 共3页 第1页 HDF1060N 电气特性参数 参 数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 VF -- 1.70 2.0 6 V IR -- -- 10.0 µA trr -- -- 35 ns 最大正向电压 IF=8.0Amps，TC=25°C 最大反向漏电流 在直流工作电压下，TC=25°C 最大反向恢复时间 IF=0.5 Amp，IR=1.0Amp，IREC=0.25Amp 典型特性曲线 图2. 结电容特性 图1. 正向特性 100 100 25°C 100°C 150°C 80 结电容 - Cj (pF) 正向电流 - IF (A) 10 1 60 40 0.1 20 0.01 0 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0.1 2.4 1 100 反向电压 - VR(V) 正向电压 – VF(V) 图3. 反向特性 图4. 功耗（每个管脚） 100 40 10 25°C 100°C 150°C 30 平均功耗 - P(W) 反向电流 - IR(µA) 10 1 25°C 100°C 150°C 0.1 20 10 0.01 0 0 100 200 300 400 反向电压 - VR(V) 500 600 0 5 10 15 20 平均正向电流 - IF(A) 共3页 第2页 HDF1060N 封装外形图（续） TO-252-2L 单位：mm 共3页 第3页