HVP-20

鞍 山 术立 电 子 有 限 公司 参 数 表 HVP-20 高压二极管采用高可靠性的台面结构及扩散工艺，环氧树脂真空灌注密闭封装。 HVP-20 High voltage diode adopts high reliable mesa structure and diffusion craftwork, epoxy resin molded in a compact structure. ▼ 产品特点 Feature  雪崩电压击穿保护特性 ▼ 产品 2D 图示 Graphical Representation Avalanche Characteristic  优异的抗浪涌电流冲击特性 Excellent surge current resistance  高速开关响应特性 High speed switch response characteristics  采用新型环氧树脂真空封装技术，表面具有抗腐蚀性 Epoxy resin molded in vacuum, have anticorrosion in the surface  工作结温-50℃—+150℃ Tj:50℃—+150℃  特殊耐高温性能芯片，可承受严酷恶劣的使用条件 Special high temperature resistant chip that can withstand harsh working conditions 参数名称 Item 符号 单位 Symbol Unit 测试条件 Conditions 数值 Rating 极限值（绝对最大值） Absolute Maximum Ratings VRRM KV Ta=25℃ IR=2.0μA 20 反向工作峰值电压） Peak Working Revere Voltage VRWM KV Ta=25℃ IR=2.0μA 20 正向平均电流 Average Forward Current IF(AV) A 反向恢复时间 Reverse Recovery Time trr nS 正向(不重复)浪涌电流 Surge Forward Current IFSM A Ta ℃ -40～+150 存贮温度 Storage Temperature T stg ℃ -40～+120 正向峰值电压 Forward Peak Voltage VFM V 工作环境温度 Operating Ambient Temperature 电 特 性 Electrical Characteristics 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current ANSHAN SULY ELECTRONICS CO., LTD. 正弦半波 50Hz，电阻负载，Tbreak=50℃ （ 50Hz Half-sine Wave , Resistance load @Tbreak=50℃） 1.0 -- 正弦半波持续时间 0.01S 50Hz 0.01S @ Half-Sine wave 50Hz @ Ta=25℃ IF=1A 50 ≥28 IRRM1 μA @ Ta=25℃ VRM=VRRM 5.0 IRRM2 μA @ Ta=100℃ VRM=VRRM 50.0 PAGE: www.hvdiode.cn 第 1 页 Email: sales@hvdiode.cn TEL: 0412-8227797 鞍 山 术立 电 子 有 限 公司 ▼外形尺寸图示 图号/尺寸 Fig② 长(L) 80 宽(W) 20 高(H) 20 极距（L1） 45 定位孔距(L2) 70 插片 ▼ Outline Drawings（单位：毫米 mm） 8*15 特性曲线图 Characteristic Curve 正向特性曲线（HVP-20） 反向特性曲线（HVP-20） Forward Characteristics Reverse Characteristics 反向雪崩电压分布（HVP-20） Avalanche Breakdowm Voltage Distribution ANSHAN SULY ELECTRONICS CO., LTD. PAGE: www.hvdiode.cn 第 2 页 Email: sales@hvdiode.cn TEL: 0412-8227797