2CLG30KV-100mA

鞍 山 术立 电 子 有 限 公司 参 数 表 2CLG30KV-100mA 高压高频二极管采用高可靠性的台面结构及扩散工艺，环氧树脂真空封装。 2CLG30KV-100mA High voltage rectifier diode adopts high reliable mesa structure and diffusion craftwork, epoxy resin molded in a compact structure. ▼ 产品特点 Feature  雪崩电压击穿保护特性 ▼ 产品 2D 图示 Graphical Representation Avalanche Characteristic  优异的抗浪涌电流冲击特性 Excellent surge current resistance  高速开关响应特性 High speed switch response characteristics  采用新型环氧树脂真空封装技术，表面具有抗腐蚀性 Epoxy resin molded in vacuum, have anticorrosion in the surface  工作结温-50℃—+175℃ Tj:50℃—+175℃  特殊耐高温性能芯片，可承受严酷恶劣的使用条件 Special high temperature resistant chip that can withstand harsh working conditions 参数名称 Item 符号 单位 Symbol Unit 测试条件 Conditions 数值 Rating 极限值（绝对最大值） Absolute Maximum Ratings 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM KV Ta=25℃ IR=2.0μA 30 反向工作峰值电压） Peak Working Revere Voltage VRWM KV Ta=25℃ IR=2.0μA 30 正向平均电流 Average Forward Current IF(AV) 正弦半波 50Hz，电阻负载，Tbreak=50℃ mA （ 50Hz Half-sine Wave , Resistance load @Tbreak=50℃） 100 80 trr nS 正向(不重复)浪涌电流 Surge Forward Current IFSM A Ta ℃ -55～+175 存贮温度 Storage Temperature T stg ℃ -55～+125 正向峰值电压 Forward Peak Voltage VFM V 工作环境温度 Operating Ambient Temperature 电 特 性 Electrical Characteristics 反向恢复时间 Reverse Recovery Time 反向峰值电流 Peak Reverse Current ANSHAN SULY ELECTRONICS CO., LTD. 正弦半波持续时间 0.01S 50Hz 0.01S @ Half-Sine wave 50Hz @ Ta=25℃ IF=100mA 10 50 IRRM1 μA @ Ta=25℃ VRM=VRRM 2.0 IRRM2 μA @ Ta=100℃ VRM=VRRM 20.0 PAGE: www.hvdiode.cn 第 1 页 Email: sales@hvdiode.cn TEL: 0412-8227797 鞍 山 术立 电 子 有 限 公司 ▼ 外形尺寸图示 Outline Drawings （单位：毫米 mm） 尺寸/ 直径 长 线长 图号 (Φ) (L) （L1） Fig① 4.5 15 >20 ▼ 特性曲线图 Characteristic Curve 正向特性曲线（2CLG30KV-100mA） 反向特性曲线（2CLG30KV-100mA） Forward Characteristics Reverse Characteristics 反向恢复时间分布（2CLG30KV-100mA） Avalanche Breakdown Voltage Distribution Reverse Recovery Time ANSHAN SULY ELECTRONICS CO., LTD. 反向雪崩电压分布（2CLG30KV-100mA） PAGE: www.hvdiode.cn 第 2 页 Email: sales@hvdiode.cn TEL: 0412-8227797