2CL40KV/5A

鞍 山 术立 电 子 有 限 公司 参 数 表 2CL40KV/5A 高压硅堆采用高可靠性的台面结构及扩散工艺，环氧树脂真空灌注密闭封装。 2CL40KV/5A High voltage silicon assembly adopts high reliable mesa structure with the diffusion craft work, and epoxy resin molded in a compact structure. ▼ 产品特点 Feature  雪崩电压击穿保护特性 ▼ 产品 2D 图示 Graphical Representation Avalanche Characteristic  优异的抗浪涌电流冲击特性 Excellent surge current resistance  高速开关响应特性 High speed switch response characteristics  采用新型环氧树脂真空封装技术，表面具有抗腐蚀性 Epoxy resin molded in vacuum, have anticorrosion in the surface  工作结温-50℃—+150℃ Tj:50℃—+150℃  特殊耐高温性能芯片，可承受严酷恶劣的使用条件  Special high temperature resistant chip that can withstand harsh working conditions 参数名称 Item 符号 单位 Symbol Unit 测试条件 Conditions 数值 Rating 极限值（绝对最大值） Absolute Maximum Ratings VRRM KV Ta=25℃ IR=5.0μA 40 反向工作峰值电压 Peak Working Revere Voltage VRWM KV Ta=25℃ IR=5.0μA 40 正向平均电流 Average Forward Current IF(AV) A 反向恢复时间 Reverse Recovery Time trr nS 正向(不重复)浪涌电流 Surge Forward Current IFSM A Ta ℃ -55～+175 存贮温度 Storage Temperature T stg ℃ -40～+125 正向峰值电压 Forward Peak Voltage VFM V 工作环境温度 Operating Ambient Temperature 电 特 性 Electrical Characteristics 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current ANSHAN SULY ELECTRONICS CO., LTD. 正弦半波 50Hz，电阻负载，Tbreak=50℃ （ 50Hz Half-sine Wave , Resistance load @Tbreak=50℃） 5.0 -- 正弦半波持续时间 0.01S 50Hz 0.01S @ Half-Sine wave 50Hz @ Ta=25℃ IF=5A 150 ≥48 IRRM1 μA @ Ta=25℃ VRM=VRRM 5.0 IRRM2 μA @ Ta=100℃ VRM=VRRM 50.0 PAGE: www.hvdiode.cn 第 1 页 Email: sales@hvdiode.cn TEL: 0412-8227797 鞍 山 术立 电 子 有 限 公司 ▼ 外形尺寸图示 Outline Drawings （单位：毫米 mm） 尺寸/ 长 宽 高 电极 图号 (L) (W) (H) (M) Fig① 300 50 25 5/6 H L ▼ M B 特性曲线图 Characteristic Curve 正向特性曲（2CL40KV/5A） 反向特性曲线（2CL40KV/5A） Forward Characteristics Reverse Characteristics 反向雪崩电压分布（2CL40KV/5A） Avalanche Breakdown Voltage Distribution ANSHAN SULY ELECTRONICS CO., LTD. PAGE: www.hvdiode.cn 第 2 页 Email: sales@hvdiode.cn TEL: 0412-8227797