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创作活动
3CT12B

3CT12B

  • 厂商:

    SINO(华微)

  • 封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    可控硅类型:单向可控硅;断态峰值电压(Vdrm):800V;通态RMS电流(It(rms)):16A;浪涌电流(Itsm@f):190A@10ms;门极平均耗散功率(PG(AV)):1W;通态峰值电压...

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3CT12B 数据手册
反向阻断三极晶闸管 Rever Blocking Triode Thyristors(SCR) R 3CT12B 主要参数 封装 Package MAIN CHARACTERISTICS IT(RMS) 16A VDRM/VRRM 800V IGT 1-25mA 序号 Pin 1 2 3 用途 APPLICATIONS  半交流开关  Half AC switching  相位控制  Phase control 产品特性 FEATURES  玻璃钝化芯片, 高可靠性和一 致性  低通态电流和高 浪涌电流能力  Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform  Low on-state voltage and High ITSM  环保 RoHS 产品  RoHS products 引线名称 Description K 阴极 A 阳极 G 门极 TO-220C 订货信息 ORDER MESSAGES 订货型号 Order codes 有卤-袋装 无卤-袋装 有卤-条管 Halogen-Bag Halogen-Free-Bag Halogen-Tube 3CT12B-CA-C 3CT12B-CA-CR 3CT12B-CA-B 印记 封装 Marking Package 3CT12B TO-220C 无卤-条管 Halogen-FreeTube 3CT12B-CA-BR Device summary Parameter VDRM/VRRM 版本:201808C 3CT12B unit 800 V 1/6 3CT12B R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (limit values) 项 符 号 Symbol 目 数 值 Value 单位 Tc =110℃ 16 A Tc =110℃ 10 A Parameter Unit 通态方均根电流 RMS on-state current(180 Conduction angle) 0 IT(RMS) 通态平均电流 Average on-state current(180 Conduction angle) 0 IT(AV) ITSM 非重复浪涌峰值通态电流 Non- Tp=8.3ms repetitive surge peak on-state Tp=10ms current Tc =25℃ I2t 使用数值 I2t Value for using Tc =25℃ 200 A2s Critical rate of rise of on-state current F=60Hz IG=2×IGT,tr≤100ns Tc =125℃ 50 A/us 峰值门极电流 current Tc =125℃ 5 A Tc =125℃ 1 W I2t dI/dt IGM PG(AV) Tstg Tj VRGM Peak gate t=10ms Tp=20us 平均门极功率 Average gate power 存储温度 Storage junction temperature range 操作结温 Operation junction temperature range Maximum peak reverse gate voltage 版本:201808C 200 A 190 -40 to +150 ℃ -40to +125 5 V 2/6 3CT12B R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) Symbol Test Conductions Value Unit IGT VD=12V,RL=33Ω VGT VGD Tj=125℃ VD=VDRM, RL=3.3KΩ 1 mA 25 mA 1.3 V 0.2 V IH 维持电流 Holding current 40 mA IL 擎住电流 Holding current 60 mA dV/dt VDM=67% VDRM gate open Tj=125℃ VTM ITM=32A Tp=380us Tj=25℃ 1.6 V VtO Threshold voltage Tj=125℃ 0.77 V Tj=125℃ 23 mΩ Tj=25℃ 5 uA Tj=125℃ 2 mA Rd IDRM IRRM Dynamic resistance MAX: V/μs 1000 VDRM =VRRM Symboll Parameter value Unit Rth(j-c) junction to case (DC) 1.1 ℃/W Rth(j-a) junction to ambient (DC) 版本:201808C 60 ℃/W 3/6 R 版本:201808C 3CT12B 4/6 R 版本:201808C 3CT12B 5/6 R 3CT12B 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 单位 Unit :mm 单位 Unit :mm 版本:201808C 6/6
3CT12B 价格&库存

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