2N60L

UMW R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 Tc=25 ●最大额定值（Tc=25 Tc=25°°C） Absolute Maximum Ratings Tc=25 ●Absolute Ratings（Tc=25 Tc=25°°C） TO-220/220F/251T/252/223 参数 PARAMETER 漏-源电压 Drain-source Voltage 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current －Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation 最高结温 Junction Temperature 存储温度 Storage Temperature 单脉冲雪崩能量 ② Single Pulse Avalanche Energy② 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 单位 UNIT VDS 600 V VGS ±30 V ID 2.0 A ID 1.25 A IDM 8 A Ptot TO-220/220F TO-251T/252/223 W Tj 150 °C TSTG -55-150 °C EAS 120 mJ VDS=600V Ω 4.5Ω RDS(ON)=4.5 ID=2.0A SOT-223 Tc=25 ●电特性（Tc=25 Tc=25°°C） Tc=25 Electronic Characteristics Tc=25°°C） Characteristics（Tc=25 ●Electronic 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 最小值 MIN 漏-源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V, ID=250µA 600 击穿电压温度系数 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/ ΔTj ID=250uA, Referenced to 25°C 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA 漏-源漏电流 Drain-source Leakage Current IDSS VDS =600V, VGS =0V, Tj=25°C VDS =480V, VGS =0V, Tj=125°C 跨导 Forward Transconductance gfs www.umw-ic.com VDS =40V, ID=1A ③ 1 典型值 TYP 最大值 MAX 单位 UNIT V 0.6 2.0 1.5 V/°C 4.0 V 25 µA 250 µA S 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 最小值 MIN 典型值 TYP 最大值 MAX 单位 UNIT ±100 nA 4.5 Ω 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION IGSS VGS =±30V RDS(ON) VGS =10V, ID=1.0A ③ 4.2 输入电容 Input Capacitance Ciss VGS = 0V, VDS = 25V F = 1.0MHZ 320 pF 关断延迟 Turn -Off Delay Time Td(off) VDD=300V, ID =2.0A RG=25Ω ③ 24 ns 栅极电荷 Total Gate Charge Qg 7.2 nC 栅源电荷 Gate-to-Source Charge Qgs 4.3 nC 1.6 nC 参数 PARAMETER 栅极漏电流 Gate-body Leakage Current (VDS = 0) 漏-源导通电阻 Static Drain-source On Resistance 栅漏电荷 Gate-to-Drain Charge 二极管正向电流 Continuous Diode Forward Current 二极管正向压降 Diode Forward Voltage ID =2.0A, VDS = 480V VGS = 10V ③ Qgd IS Tj=25°C, Is=2.0A VGS =0V ③ VSD 反向恢复时间 Reverse Recovery Time trr 反向恢复电荷 Reverse Recovery Charge Qrr Tj=25°C,If=2.0A di/dt=100A/μs ③ 2.0 A 1.4 V 380 ns 0.9 uC ●热特性 Thermal Characteristics ●Thermal 参数 PARAMETER 热阻结-壳 Thermal Resistance Junction-case 热阻结-环境 Thermal Resistance Junction-ambient 最大值 MAX 符号 SYMBOL TO-220 TO-220F 单位 UNIT RthJC 2.31 5.43 ℃/W RthJA 62.5 62.5 ℃/W Notes)): 注释((Notes ① 脉冲宽度：以最高结温为限制 Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature ② 初始结温=25oC, VDD =50V, L=56mH, RG =25Ω, IAS=2A Starting Tj=25oC, VDD =50V, L=56mH, RG =25Ω, IAS=2A ③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％ Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% www.umw-ic.com 2 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 ● 特性曲线 图 1 输出特性曲线, Tc=25℃ Fig1 Typical Output Characteristics, Tc=25℃ 图 3 归一化导通电阻与温度曲线 Fig3 Normalized Resistance Vs. Temperature 图 2 输出特性曲线, Tc=150℃ Fig2 Typical Output Characteristics, Tc=150℃ 图 4 二极管正向压降曲线 Fig4 Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 图 5 最大漏极电流与壳温曲线 Fig5 Maximum Drain Current Vs. Case Temperature www.umw-ic.com 3 友台半导体有限公司 UMW ● R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 特性曲线 图 6-1 2N60(TO-220) 最大安全工作区曲线 Fig6-1 Maximum Safe Operating Area www.umw-ic.com 图 6-2 2N60(TO-220F) 最大安全工作区曲线 Fig6-2 Maximum Safe Operating Area 4 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 220 封装 TOTO-220 最小值 min 9.90 单位：毫米/UNIT：mm 最大值 典型值 max nom 10.70 最大值 max 4.80 符号 SYMBOL E 1.20 1.50 e B1 1.00 1.40 F 1.10 1.45 b1 0.65 1.00 L 12.50 14.50 c 0.35 0.75 L1 3.00 D 15.00 16.50 Q 2.50 3.00 D1 5.90 6.90 Q1 2.00 3.00 φP 3.60 3.90 符号 SYMBOL A 最小值 min 4.00 B www.umw-ic.com 典型值 nom 5 2.54 3.50 4.00 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 TO-220F 封装 符号 SYMBOL A 最小值 min 40 4.4 4. A1 最大值 max 95 4.9 4. 符号 SYMBOL e 最小值 min 2.30 2.90 L 12.50 14.30 b 0.45 0.90 L1 9.10 10.05 b1 1.10 1.70 L2 15.00 16.00 c 0.35 0.90 L3 3.00 4.00 D 14.50 17.00 øp 3.00 3.50 D1 6.10 9.00 Q 2.30 2.80 E 9.60 10.30 www.umw-ic.com 典型值 nom mm 单位::毫米//UNIT UNIT：mm 典型值 最大值 nom max 2.54 6 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 T 封装机械尺寸 TO-251 TO-251T T (IPAK) MECHANICAL DATA TO-251 TO-251T 典型值//nom 单位:毫米/UNIT：mm 最大值//max 符号//SYMBOL 最小值//min A 2.10 2.50 A1 0.95 1.30 B 0.80 1.25 b 0.50 0.80 b1 0.70 0.80 c 0.45 0.70 c1 0.45 0.70 D 6.35 6.80 D1 5.10 5.50 E 5.30 6.30 e 2.25 L 7.00 9.20 H 0.35 0.45 W1 0.30 0.50 W2 0.20 0.40 2.30 2.35 [S/L] www.umw-ic.com 7 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 TO-252 封装机械尺寸 TO-252 MECHANICAL DATA mm UNIT：mm 单位::毫米//UNIT 最大值 最小值 max min 0.85 1.25 符号 SYMBOL A 最小值 min 2.10 最大值 max 2.50 符号 SYMBOL B b 0.50 0.80 b1 0.50 0.90 b2 0.45 0.70 C 0.45 0.70 D 6.30 6.75 D1 5.10 5.50 E 5.30 6.30 e1 2.25 2.35 L1 9.20 10.60 e2 4.45 4.75 L2 0.90 1.75 L3 0.60 1.10 K 0.00 0.23 www.umw-ic.com 8 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N60 NN-沟道功率 MOS 管 SOT-22 ３ 封装机械尺寸 SOT-22 ３ MECHANICAL DATA www.umw-ic.com 9 友台半导体有限公司