CD4013BE

CD4013 双D触发器 1、概 述 CD4013是一双D触发器，由两个相同的、相互独立的数据型触发器构成，每个触发器有独立的数 据、置位(SD)、复位(CD)、时钟输入(CP)和Q及 Q 块输出，此器件可用作移位寄存器，且通过将Q输 出连接到数据输入，可用作计算器和触发器。在时钟上升沿触发时，加在D输入端的逻辑电平传送到 Q输出端。置位和复位与时钟无关，而分别由置位或复位线上的高电平完成。CD4013工作电压VDD 推荐使用在3V到15V之间。输入端口必须接VDD或VSS或者其他输入脚。其主要特点如下： ● 较宽的时钟上升下降沿 ● 全静态工作 ● 5V，10V ,15V三种参考电压下工作 ● 标准对称输出特性 ● 提供较宽的温度使用范围：-40℃～+85℃ ● 符合JEDEC中JESD13-B标准 ● 应用于自动化及工业领域 ● 环形计数器 ● 寄存器 ● 固定触发器 ● 封装形式：DIP14/SOP14/TSSOP14 2、功能框图及引脚说明 2.1、功能框图 图 1、功能框图 http://www.hgsemi.com.cn 1 2018 AUG CD4013 图 2、逻辑框图（单个触发器） 2.2、引脚排列图 图 3、引脚排列图 2.3、引脚说明及结构原理图 引脚 1 2 3 4 5 http://www.hgsemi.com.cn 符 号 1Q 1Q 1CP 1CD 1D 功 能 逻辑正输出 逻辑负输出 时钟输入（低到高时钟触发沿有效） 异步复位输入（高电平有效） 数据输入 2 2018 AUG CD4013 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1SD VSS 2SD 2D 2CD 2CP 异步置位输入（高电平有效） 系统地（0V） 异步置位输入（高电平有效） 数据输入 异步复位输入（高电平有效） 时钟输入（低到高时钟触发沿有效） 逻辑负输出 逻辑正输出 系统电源 2Q 2Q VDD 2.4、真值表、逻辑关系等 控制口 输入 输出 nSD nCD nCP nD nQ nQ H L H L L L H H L L X X X ↑ ↑ X X X L H H L H L H L H H H L 注：[1] H = 高电平; L = 低电平; X = 不考虑; ↑= 时钟上升沿 3、电特性 3．1、极限参数 除非另有规定，Tamb=25℃,Vss = 0V 参 数 名 称 符 号 条 件 VDD 电源电压 VI < -0.5 V or VI > VDD + 0.5 V 输入箝位电流 IIK VI 输入电压 VO < -0.5 V or VO > VDD + 0.5 V 输出箝位电流 Iok 输入/输出电流 II/O IDD 电源电流 工作环境温度 Tamb Tstg 贮存温度 DIP TL 焊接温度 10 秒 SOP 3.2、推荐使用条件 参 数 名 称 电源电压 输入电压 工作环境温度 输入上升/下降速率 http://www.hgsemi.com.cn 符 号 VDD Vi Tamb △t/△V 条件 VDD = 5V VDD = 10V VDD = 15V 3 最小 3 0 -40 - 最小值 额 定 值 -0.5 -0.5 -40 -65 245 250 最大 15 VDD +85 3.75 0.5 0.08 最大值 +18 ±10 VDD+0.5 ±10 ±10 50 +85 +150 单 位 V mA V mA mA mA ℃ ℃ ℃ 单 位 V V ℃ ns/V ns/V ns/V 2018 AUG CD4013 3.3、电气特性 3.3.1、直流参数 1（ 除非另有规定，Tamb=25℃,VSS=0V，VI = VSS 或 VDD ） 参 数 名 称 符 号 静态电流 IDD MAX 低电平输出 电流 IOL Min 高电平输出 电流 IOH Min 输出低电平 电压 VOL Max 输出高电平 电压 VOH MIN 输入低电平 电压 VIL Max 输入高电平 电压 VIH Min 输入电流 IIN Max 测 试 条 件 VO(V) VIN(V) VDD(V) . 0.4 0.5 1.5 4.6 2.5 9.5 13.5 0.5,4.5 1,9 1.5,13.5 0.5,4.5 1,9 1.5,13.5 - 0,5 0,1 0,15 0,.5 0,.1 0,15 0,.5 0,.5 0,.1 0,15 0,.5 0,10 0,15 0,5 0,10 0,15 0,18 5 10 15 5 10 15 5 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 18 最小 典型值 最大 0.51 1.3 3.4 -0.51 -1.6 -1.3 -3.4 4.95 9.95 14.95 3.5 7 11 - 0.02 0.02 0.02 1 2.6 6.8 -1 -3.2 -2.6 -6.8 0 0 0 5 10 15 ±10-5 1 2 4 0.05 0.05 0.05 1.5 3 4 ±0.1 单 位 uA mA V V uA 3.3.2、直流参数 2 （除非另有规定，VSS=0V，VI = VSS 或 VDD） 参 数 名 称 符 号 静态电流 IDD MAX 低电平输出 电流 IOL Min 高电平输出 电流 IOH Min 输出低电平 电压 VOL Max 输出高电平 电压 VOH MIN http://www.hgsemi.com.cn 测 试 条 件 VO(V) VIN(V) VDD(V) . 0.4 0.5 1.5 4.6 2.5 9.5 13.5 - 0,5 0,1 0,15 0,.2 0,.5 0,.1 0,15 0,.5 0,.5 0,.1 0,15 0,.5 0,10 0,15 0,5 0,10 0,15 5 10 15 20 5 10 15 5 5 10 15 5 10 15 5 10 15 4 工作温度 -40 +85 1 30 2 60 4 120 20 600 0.61 0.42 1.5 1.1 4 2.8 -0.61 -0.42 -1.8 -1.3 -1.5 -1.1 -4 -2.8 0.05 0.05 0.05 4.95 9.95 14.95 单 位 uA mA V 2018 AUG CD4013 输入低电平 电压 VIL Max 输入高电平 电压 VIH Min 输入电流 IIN Max 3.3.3、交流参数 0.5,4.5 1,9 1.5,13.5 0.5,4.5 1,9 1.5,13.5 - 0,18 5 10 15 5 10 15 18 1.5 3 4 3.5 7 11 ±0.1 V uA ±1 （除非另有规定，Tamb=25℃, 输入 tr,tf = 20ns,CL = 50pF,RL = 20KΩ） 参 数 名 称 符 号 时钟到 Q, Q 输 出传输延时 tPHL, tPLH 置位到 Q 或复 位到 Q 的上升 延时 置位到 Q 或复 位到 Q 的下降 延时 tPLH tPHL 转换时间 tTHL, tTLH 最大时钟 输入频率 fCL 最小时钟脉宽 tW 最小置位或复 位脉宽 tW 最小数据 建立时间 ts 最小数据保持 时间 tH 时钟输入上升 下降时间 trCL, tfCL 输入电容 Cin http://www.hgsemi.com.cn 测 试 条 件 VDD(V) 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 最小 典型 最大 3.5 8 12 - 150 65 45 150 65 45 200 85 60 100 50 40 7 16 24 70 30 20 90 40 25 20 10 7 2 2 2 5 300 130 90 300 130 90 400 170 120 200 100 80 140 60 40 180 80 50 40 20 15 5 5 5 15 10 5 7.5 单 位 ns ns ns ns MHZ ns ns ns ns us pF 2018 AUG CD4013 4、测试线路 4. 1、交流测试线路 图 4. 数据建立、保持时间, 最小时钟脉宽,传输延时和转换时间 图 5、nSD, nCD 恢复时间和脉冲宽度图 注：测试点 电源电压 输入 输出 VDD 5 V to 15V VM 0.5VDD VM 0.5VDD http://www.hgsemi.com.cn VX 0.1VDD 6 VY 0.9VDD 2018 AUG CD4013 图 6、开关特性测试电路图 注：CL：负载电容须包括夹具和探针电容 RT：终端电阻须与信号发生其的输出阻抗匹配 测试点： 电源电压 输入 输出 VDD VI tr,tf CL 5V to 15V Vss or VDD ≤20 ns 50pF 5、典型应用线路与说明 5. 1.、应用线路 1 图 7、n 级移位寄存器 5. 2、应用线路 2 图 8、二进制环形加法器 http://www.hgsemi.com.cn 7 2018 AUG CD4013 5. 3、应用线路 3 图 9、改进的环形计数器 http://www.hgsemi.com.cn 8 2018 AUG CD4013 重要声明： 华冠半导体保留未经通知更改所提供的产品和服务。客户在订货前应获取最新的 相关信息，并核实这些信息是否最新且完整的。 客户在使用华冠半导体产品进行系统设计和整机制造时有责任遵守安全标准并 采取安全措施，以避免潜在风险可能导致人身伤害或财产损失情况的发生。 华冠半导体产品未获得生命支持、军事、航空航天等领域应用之许可，华冠半导 体将不承担产品在这些领域应用造成的后果。 华冠半导体的文档资料，仅在没有对内容进行任何篡改且带有相关授权的情况下 才允许进行复制。华冠半导体对篡改过的文件不承担任何责任或义务。 http://www.hgsemi.com.cn 9 2018 AUG