BC848A

安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD. BC846、BC847、BC848 ■ FEATURES 特點 NPN General Purpose Transistor ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 BC846A,B, C BC847A,B,C BC848A,B,C Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極發射極電壓 VCEO 65 45 30 Vdc Collector-Base Voltage 集電極基極電壓 VCBO 80 50 30 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓 VEBO 6.0 6.0 5.0 Vdc Ic 100 100 100 mAdc Collector Current Continuous 集電極電流 ■ THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 ■ DEVICE MARKING 打標 BC846A=1A BC846B=1B BC846C=1C BC847A=1E BC847B=1F BC847C=1G BC848A=1J BC848B=1K BC848C=1L TJ,Tstg Max 最大值 Unit 單位 225 mW 1.8 mW/℃ 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W -55to+150℃ 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD. BC846、BC847、BC848 ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 ■ OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極發射極擊穿電壓 (Ic=10mAdc,IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極基極擊穿電壓(Ic=10μ Adc,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極基極擊穿電壓(IE=10μ Adc,Ic=0) Symbol 符號 V(BR)CEO 846A,B,C 847A,B,C 848A,B,C V(BR)CBO 846A,B,C 847A,B,C 848A,B,C V(BR)EBO 846A,B,C 847A,B,C 848A,B,C (Ic=2.0mAdc,VCE=5.0Vdc) Max 最大值 Unit 單位 65 45 30 — Vdc 80 50 30 — Vdc — 1.5 5.0 Vdc nA uA 6.0 6.0 5.0 Collector Cutoff Current(VCB=30v) ICBO 集電極截止電流(VcB=30Vdc,TA=150℃) ■ ON CHARCTERISTICS 導通電特性 Characteristic Symbol Min 特性參數 符號 最小值 HFE DC Current Gain 直流電流增益 846A, 847A, 848A (Ic=10uAdc,VCE=5.0Vdc) 846B, 847B, 848B 846C, 847C, 848C 846A, 847A, 848A 846B, 847B, 848B 846C, 847C, 848C Min 最小值 110 200 420 — Typ 典型值 Max 最大值 90 150 270 180 290 520 220 450 800 — — 0.25 0.6 Unit 單位 — — Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極發射極飽和壓降 (Ic=10mAdc, IB=0.5mAdc) (Ic=100mAdc, IB=5.0mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage 基極發射極飽和壓降 (Ic=10mAdc, IB=0.5mAdc) (Ic=100mAdc, IB=5.0mAdc) Base-Emitter Voltage 基極發射極電壓 (Ic=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc) (Ic=10mAdc, VCE=5.0Vdc) VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) 0.7 0.9 580 — 660 — Vdc Vdc 700 770 mV 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD. BC846、BC847、BC848 小信號特性 Symbol Min 符號 最小值 ■ SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS Characteristic 特性參數 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益帶寬乘積 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 fT 100 — Cobo — — 4.5 pF — 10 10 4.0 dB MHz (Ic=10mAdc,VCE=5.0Vdc,f=100MHz) Output Capacitance 輸出電容 (VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Noise Figure 噪声係數 (VCE=5.0Vdc, IC=200μAdc, Rs=2.0kΩf=1.0KHz BW=200Hz) 外形封裝尺寸 單位(UNIT)：mm ■ DIMENSION NF 846A, 847A, 848A 846B, 847B, 848B 846C, 847C, 848C —