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安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD BZX84C3V0-C47 SOT-23 内部结构 SOT-23 SURFACE MOUNT ZENER DIODE ■ 表面貼裝穩壓二極管 FEATURES 特點 Characteristic 特性參數 Power dissipation 耗散功率 Forward Current 正向電流 Forward Voltage 正向電壓 Reverse Voltage 反向電壓 Junctoin and Storage Temperature 結溫和儲藏溫度 Symbol Max Unit 符號 最大值 單位 PD (Ta=25℃) 300 mW IF 250 mA VF 0.9 V 3-47 V (@ IF=10mA) VZ TJ,Tstg 125℃,-55to+125℃ 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) CHARACTERISTICS WORK VOLTAGE VZ(V) DIFFERENTIAL RESISTANCE rdif(Ω) IZ=1mA IZ=5mA TEST CONDITION TEMP. COEFF. SZ(mV/K) IZ=5mA Marking IZ=5mA MIN. MAX. TYP. MAX. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. BZX84C3V0 2.8 3.2 325 600 80 95 -3.5 -2.1 0 Z13 BZX84C3V3 3.1 3.5 350 600 85 95 -3.5 -2.4 0 Z14 BZX84C3V6 3.4 3.8 375 600 85 90 -3.5 -2.4 0 Z15 BZX84C3V9 3.7 4.1 400 600 85 90 -3.5 -2.5 0 Z16 BZX84C4V3 4.0 4.6 400 600 85 90 -3.5 -2.5 0 Z17 BZX84C4V7 4.4 5.0 410 600 80 90 -3.5 -2.5 0 Z1 BZX84C5V1 4.8 5.4 425 500 50 80 -3.5 -1.4 0.2 Z2 BZX84C5V6 5.2 6.0 400 480 40 60 -2.7 -0.8 1.2 Z3 BZX84C6V2 5.8 6.6 80 400 15 40 -2.0 1.2 2.5 Z4 BZX84C6V8 6.4 7.2 40 150 6 10 0.4 2.3 3.7 Z5 BZX84C7V5 7.0 7.9 30 80 6 15 1.2 3.0 4.5 Z6 BZX84C8V2 7.7 8.7 30 80 6 15 2.5 4.0 5.3 Z7 BZX84C9V1 8.5 9.6 40 80 6 15 3.2 4.6 6.2 Z8 BZX84C10 9.4 10.6 40 100 6 15 3.8 5.5 7.0 Z9 BZX84C11 10.4 11.6 50 150 8 20 4.5 6.4 8.0 Y1 BZX84C12 11.4 12.7 50 150 10 20 5.4 7.4 9.0 Y2 BZX84C13 12.4 14.1 50 150 10 25 6.0 8.4 10.0 Y3 BZX84C15 13.8 15.6 50 170 10 30 7.0 9.4 11.0 Y4 BZX84C16 15.3 17.1 50 200 10 30 9.2 11.4 13.0 Y5 BZX84C18 16.8 19.1 50 200 10 40 10.4 12.4 14.0 Y6 BZX84C20 18.8 21.2 50 225 10 45 12.4 14.4 16.0 Y7 BZX84C22 20.8 23.3 60 225 15 55 14.4 16.4 18.0 Y8 BZX84C24 22.8 25.6 60 250 20 55 16.4 18.4 20.0 Y9 IZ=2mA TEST CONDITION IZ=0.5mA IZ=2mA IZ=2mA BZX84C27 25.1 28.9 65 300 25 80 21.4 23.4 25.3 Y10 BZX84C30 28.0 32.0 70 300 30 80 24.4 26.6 29.4 Y11 BZX84C33 31.0 35.0 75 325 35 80 27.4 29.7 33.4 Y12 BZX84C36 34.0 38.0 80 350 35 90 30.4 33.0 37.4 Y13 BZX84C39 37.0 41.0 80 350 40 130 33.4 36.4 41.2 Y14 BZX84C43 40.0 46.0 85 375 45 150 37.6 41.2 46.6 Y15 BZX84C47 44.0 50.0 85 375 50 170 42.0 46.1 51.8 Y16 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD BZX84C3V0-C47 ■ DIMENSION 外形封裝尺寸 ■ 单位（UNIT）：mm