BC858B

安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD BC856/BC857/BC858 ■ FEATURES 特點 PNP General Purpose Transistor ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol GM856A,B (BC856A,B) 符號 GM857A,B,C (BC857A,B,C) GM858A,B,C (BC858A,B,C) Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極發射極電壓 VCEO -65 -45 -30 Vdc Collector-Base Voltage 集電極基極電壓 VCBO -80 -50 -30 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓 VEBO -5.0 -5.0 -5.0 Vdc Ic -100 -100 -100 mAdc Collector Current Continuous 集電極電流-連續 ■ THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃ 遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 ■ DEVICE MARKING 打標 BC856A=3A;BC856B=3B; BC857A=3E;BC857B=3F;BC857C=3G BC858A=3J; BC858B=3K;BC858C=3L Symbol 符號 PD PD RΘJA TJ,Tstg Max 最大值 Unit 單位 225 mW 1.8 mW/℃ 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W -55to+150℃ 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD BC856/BC857/BC858 ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 ■ OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極發射極擊穿電壓 (Ic=-10mAdc,IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極基極擊穿電壓 (Ic=-10μAdc,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極基極擊穿電壓 (IE=-10μAdc,Ic=0) Symbol 符號 V(BR)CEO 856A,B 857A,B,C 858A,B,C V(BR)CBO 856A,B 857A,B,C 858A,B,C V(BR)EBO 856A,B 857A,B,C 858A,B,C Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO (VCB=-30v) (VcB=-30Vdc,TA=150℃) ■ ON CHARCTERISTICS 導通電特性 Characteristic Symbol 特性參數 符號 HFE DC Current Gain 直流電流增益 856A, 857A, 858A 856B, 857B, 858B (Ic=-10uAdc,VCE=-5.0Vdc) 857C,858C 856A, 857A, 858A 856B, 857B, 858B (Ic=-2.0mAdc,VCE=-5.0Vdc) 857C,858C Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極發射極飽和壓降 (Ic=-10mAdc, IB=-0.5mAdc) (Ic=-100mAdc, IB=-5.0mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage 基極發射極飽和壓降 (Ic=-10mAdc, IB=-0.5mAdc) (Ic=-100mAdc, IB=-5.0mAdc) Base-Emitter Voltage 基極發射極電壓 (Ic=-2.0mAdc, VCE=-5.0Vdc) (Ic=-10mAdc, VCE=-5.0Vdc) Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 -65 -45 -30 — Vdc -80 -50 -30 — Vdc -5.0 -5.0 -5.0 — Vdc — -15 -4.0 nA uA Min Typ Max 最小值 典型值 最大值 125 220 420 VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) 90 150 270 180 290 520 250 475 800 — — -0.3 -0.65 — -0.7 -0.9 -0.6 — — — Unit 單位 — Vdc Vdc -0.75 -0.82 V 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD BC856/BC857/BC858 ■ SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 Characteristic Symbol Min 特性參數 符號 最小值 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積 fT 100 (Ic=-10mAdc,VCE=-5.0Vdc,f=100MHz) Output Capacitance 輸出電容 Cobo — (VCB=-10Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Noise Figure 噪声係數 (VCE=-5.0Vdc, IC=-200μAdc, NF — Rs=2.0kΩf=1.0KHz BW=200Hz) Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 — — MHz — 4.5 pF — 10 dB 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD BC856/BC857/BC858 ■ DIMENSION 外形封裝尺寸 單位(UNIT)：mm