CMN3401M

厂商：
CMOS(广东场效应半导体)
封装：
SOT-23-3L
描述：

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CMN3401M 数据手册

CMN3401M P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summary The CMN3401M uses advanced trench BVDSS technology to provide excellent RDS(ON), RDSON -30V low gate charge and operation with gate ID 60m -4A Applications voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection PWM applications or in other Switching application. Load switch Power management Features PA Switch RDS(ON)

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CMN3401M

PDF文档中包含以下信息：

1. 物料型号：型号为EL817，是一款光耦器件。

2. 器件简介：EL817是一个高增益光晶体管输出的光耦器件，具有快速响应时间和高输入输出隔离电压。

3. 引脚分配：EL817有6个引脚，包括输入侧的发光二极管引脚和输出侧的光晶体管引脚。

4. 参数特性：包括最大正向电流、最大反向电压、最大功率耗散等。

5. 功能详解：EL817通过输入侧的发光二极管发光，触发输出侧的光晶体管导通，实现电-光-电转换。

6. 应用信息：广泛应用于工业控制系统、计算机外部设备、通讯设备等领域。

7. 封装信息：EL817采用DIP-6封装。

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