DP3100SB

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DP3100LB&DP3100SB 版本号 201603-A 半导体放电管 产品概述 半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电 流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。 产品特点 ●双向过电压电路保护 ●漏电小，可靠性高 ●抗浪涌能力强 ●低电容 ●快速反应，可恢复 应用领域 特征参数 符号 额定值 单位 VDRM 275 V VS IH 350 150 V mA DP3100半导体放电管主要应用于通 讯设备的过电压防护；家用电器，工控仪 器的过电压防护。 封装：SMB(DO-214AA)，DO-15 电参数 参数名称 符号 测试条件 不动作电压 不动作电流 VDRM IDRM VS IS IH VT IT Co IPP I=5μA V=VDRM额定值 100KV/s 100KV/s 10A，10/1000μs IT =2.2A 额定值 1MHz，2V偏置 10/1000μs 跃变电压 跃变电流 维持电流 通态电压 通态电流 极间电容 峰值浪涌电流 86-510-87136806 1 /6 最小 275 规范值 典型 最大 5 350 800 150 4 2.2 40 80 单位 V μA V mA mA V A pF A http://www.jsdgme.com 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd ■ 热特性 符号 TJ TS 参数 工作结温范围 贮存温度范围 数值 -40～+150 -65～+150 单位 ℃ ℃ ■ 典型特性曲线 浪涌电流波形 IH 随温度变化率 VS随结温变化率 Co随偏置电压的变化率（相对于VR=1V） 86-510-87136806 2 /6 http://www.jsdgme.com 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 封装尺寸 SMB (DO-214AA) DO-15 命名规则 86-510-87136806 3 /6 http://www.jsdgme.com 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DP3100LB&DP3100SB 版本号 201603-A 半导体放电管 Description The SDT is a kind of overvoltage protection device.It is designed at the PNPN structure.High pulse current can cross SDT. Features and Benefits ●Low voltage and overshoot ●Low on-state voltage ●Fails short circuit when surged in excess of ratings 应用领域 Characteristic parameters symbol Rated value ●Does not degrade with use ●Low capacitance unit VDRM 275 V VS IH 350 150 V mA DP3100 are designed to protect communication equipment , appliances and Industrial And Control Instrumentation Equipment from damaging overvoltage transients. Package ：SMB(DO-214AA)，DO-15 Electrical Parameters Value Typ. Parameter symbol Test conditions Leakage Voltage Leakage Current Switching Voltage Switching Current Holding Current On-state Voltage On-state Current VDRM IDRM VS IS IH VT IT I=5μA V=VDRM 100KV/s 100KV/s 10A，10/1000μs IT =2.2A Rating value Off-state Capacitance Co 1MHz，2V offset 40 pF Peak Pulse Current IPP 10/1000μs 80 A 86-510-87136806 4 /6 Min. 275 Max. 5 350 800 150 4 2.2 unit V μA V mA mA V A http://www.jsdgme.com 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd ■ 热特性 Symbol TJ TS Parameter Operating Junction Temperature Storage Temperature Range Value -40～+150 -65～+150 Unit ℃ ℃ ■ Typical characteristic curve Tr x Td Pulse waveform Normalized DC holding current vs. case temperature Co change vs. bias voltage （VR=1V） Vs change vs. junction temperature 86-510-87136806 5 /6 http://www.jsdgme.com 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd Package size SMB (DO-214AA) DO-15 Naming Rule 86-510-87136806 6 /6 http://www.jsdgme.com