EG1163S

ELECTRONIC GIANT EG1163 芯片用户手册 高压大电流降压型开关电源芯片 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 REV 1.0 屹晶微电子有限公司 EG1163 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片 版本变更记录 版本号 日期 描述 V1.0 2018 年 05 月 15 日 EG1163 数据手册初稿 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 1/1 EG1163 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压大电流降压型开关电源芯片 目 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 录 特性 ..................................................................................................................................................................... 1 描述 ..................................................................................................................................................................... 1 应用领域 ............................................................................................................................................................. 1 引脚 ..................................................................................................................................................................... 2 4.1 引脚定义 ................................................................................................................................................... 2 4.2 引脚描述 ................................................................................................................................................... 3 结构框图 ............................................................................................................................................................. 4 典型应用电路 ..................................................................................................................................................... 5 电气特性 ............................................................................................................................................................. 6 7.1 极限参数 ................................................................................................................................................... 6 7.2 典型参数 ................................................................................................................................................... 6 应用设计 ............................................................................................................................................................. 8 8.1 REF5V 输入电容 ........................................................................................................................................ 8 8.2 VCC 储能电容 ............................................................................................................................................ 8 8.3 启动过程 ................................................................................................................................................... 8 8.4 振荡器 Cr 电容的开关频率计算 .............................................................................................................. 8 8.5 输出峰值限流 ........................................................................................................................................... 8 8.6 输出短路保护 ........................................................................................................................................... 9 8.7 输出电感 ................................................................................................................................................... 9 8.8 同步整流 MOS 管 ..................................................................................................................................... 9 8.9 输出电容 ................................................................................................................................................... 9 8.10 输出电压调节设置 ................................................................................................................................... 9 封装尺寸 ........................................................................................................................................................... 10 9.1 SOP16 封装尺寸...................................................................................................................................... 10 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 1/1 屹晶微电子有限公司 EG1163 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片 EG1163 芯片数据手册 V1.0 1. 特性        同步续流方案，支持高压大电流方案。 外接一个电容可设置工作频率（0-300KHz） UVLO 欠压锁定功能：  Vcc 引脚端的开启电压 16.5V-EG1163  Vcc 引脚端的关闭电压 8V-EG1163  Vcc 引脚端的开启电压 8.5V-EG1163S  Vcc 引脚端的关闭电压 7.5V-EG1163S MOS 管内阻逐周限流控制 支持对蓄电池充电 输出短路保护 封装形式：SOP16 2. 描述 EG1163 是一款高压大电流降压型 DC-DC 电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限 流保护、短路保护、半桥驱动等功能，非常适合高压大电流场合应用，配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入。 3. 应用领域         电动摩托车转换器 电动自行车转换器 高压模拟/数字系统 工业控制系统 电信电源系统 以太网 POE 便携式移动设备 逆变器系统 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 1/10 屹晶微电子有限公司 EG1163 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片 4. 引脚 4.1 引脚定义 图 4-1. EG1163 管脚定义 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 2/10 EG1163 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压大电流降压型开关电源芯片 4.2 引脚描述 引脚序号 引脚名称 I/O 描述 1 REF5V O 5V 基准输出，驱动电流 50mA。 2 EN I 芯片使能脚，比较门限 1.2V；低于 1.2V，芯片进入待机，关闭 5V 输出。 3 SD I 高电平关闭 PWM 输出，低电平允许 PWM 输出。 4 SS I 软启动脚，外接电容，电容电压上升速度影响软启动时间。 5 VSS AGND 6 CP I 外接电容，频率 f=(14.4 x106 )/Cp(单位为 pF)。 7 ERRO O 电压环路运放输出端口。 8 FB I 电压环路运放负极输入端口。 9 SDLIN I 低端 MOS 管电流比较器输入端口。 10 LO O 输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止。 11 COM PGND 芯片功率地。 12 VCC Power 芯片电源，电压范围 10V-20V。 13 SDHIN I 高端 MOS 管电流比较器输入端口。 14 VS O 高端悬浮地端。 15 VB Power 高端悬浮电源。 16 HO O 芯片信号地。 输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止。 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 3/10 EG1163 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压大电流降压型开关电源芯片 5. 结构框图 RFE5V 1 15 VB 线性电源 电 平 位 移 EN 2 1.2V 脉 冲 滤 波 驱 动 16 HO 18uA 14 VS 180mV SD 3 13 SDHIN PWM逻辑控制 比较器 12 Vcc SS 4 驱 动 VSS 5 10 LO 振荡器 CP 6 11 COM ERRO 7 180mV 1.2V 9 SDLIN 运放 比较器 FB 8 图 5-1. EG1163 结构框图 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 4/10 屹晶微电子有限公司 EG1163 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片 电 充 池 电 对 持 支 以 护 保 热 过 可 6. 典型应用电路 图 6-1. EG1163 12V20A 恒压恒流同步整流方案典型应用电路图 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 5/10 EG1163 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压大电流降压型开关电源芯片 7. 电气特性 7.1 极限参数 无另外说明，在 TA=25℃条件下 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 HO 高端输出 - VS-0.3 VB+0.3 V VB 自举高端 VB 电源 - -0.3 600 V VS 高端悬浮地端 - VB-20 VB+0.3 V SDHIN 高端比较器输入 - VS-0.3 VS+5 V VCC 低端电源 - -0.3 20 V LO 低端输出 - -0.3 VCC+0.3 V SDLIN 低端比较器输入 - -0.3 +5 V FB、ERRO、CP、SS、 REF5V 低压端口 - -0.3 +5.5 V SD、EN 控制端口 - -0.3 20 V TA 环境温度 - -45 125 ℃ Tstr 储存温度 - -65 150 ℃ TL 焊接温度 T=10S - 300 ℃ 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。 7.2 典型参数 无另外说明，在 TA=25℃ 符号 参数名称 测试条件 最小 典型 最大 单位 VB 高压电源 VB 输入电压 10 - 600 V VCC 低压电源 VCC 输入电压 10 - 20 V Istart VCC 启动电流 - 200 300 uA VCC（ON） VCC 开启电压 EG1163 14 15 17 V VCC（OFF） VCC 关闭电压 EG1163 8 9 10 V VCC（ON） VCC 开启电压 EG1163S 7.5 8.5 9.3 V VCC（OFF） VCC 关闭电压 EG1163S 6.7 7.5 8.3 V 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6/10 EG1163 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压大电流降压型开关电源芯片 基准电压 REF5V 5V 基准输出 VCC 开启，VCC=12V 4.8 4.9 5.0 V Δ VREF 线性调整率 VCC=10V to 20V - 3 50 mV Δ VREF 负载调整率 IL=0 to 10mA - 5 50 mV Io 最大输出电流 - Fosc 振荡频率范围 CT=200pF Δ f/Δ VCC 电压抑制比 Δ f/Δ T 50 mA 振荡器 65 72 80 KHz CT=200pF ±3 ±5 % 温度漂移 - ±5 ±8 % FB 误差放大器反馈端 - 1.188 1.2 1.212 V Ierro 误差放大器输出电 流能力 15 20 25 uA Ib 输入偏置电流 - - - 0.1 uA AVOL 开环增益 - 60 75 - dB D(max) 最大输出占空比 - EN EN 使能端比较电压 1.15 1.2 1.25 V SD 逐周关闭 PWM 电压 3 - - V 误差放大器 PWM 控制 95 % 电流比较器 SDHIN 高端电流比较器 相对 VS 电压 180 mV SDLIN 低端电流比较器 相对 COM 电压 180 mV 死区时间特性 DT 死区时间 150 200 250 nS 输出 MOS 驱动能力 LO、HO 输出 拉电流 IO+ Vo=0V,VIN=VIH PW≤10uS 0.8 1.2 - A LO、HO 输出 灌电流 IO- Vo=12V,VIN=VIL PW≤10uS 1.5 2 - A 2018 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7/10 屹晶微电子有限公司 EG1163 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片 8. 应用设计 8.1 REF5V 输入电容 在 REF5V 引脚端对地放置一个高频小容值旁路电容将减少 REF5V 端的高频噪声，高频旁路电容可选用 1uF 陶瓷电容，布板时尽可能靠近芯片引脚 REF5V 输入端。 8.2 VCC 储能电容 EG1163 需求 VCC 引脚端对地放置一个 10uF 电容，主要用于启动时对 VCC 引脚进行储能充电和正常工 作时稳定 VCC 引脚的工作电压，同时该电容对输出短路保护有一定的作用，当输出短路时，VCC 引脚将掉 电，芯片进入 UVLO 模式，该电容的大小将影响当输出短路时芯片间隙去开启功率管的时间，电容越大间隙 的时间越长，功率管发热越小，反之功率管发热将增大。 8.3 启动过程 输入电源通过外部 R2 电阻对 VCC 引脚的外接电容开始充电，此时 EG1163 芯片将在低静态电流工作模 式大概消耗