FHP150N03C

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET FHP150N03C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson-typ（ @Vgs=10V） Rdson-typ（ @Vgs=4.5V） Qg-typ 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 低 Crss (典型值 405pF) 开关速度快 100%经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 150 A 26 V 2.2mΩ 2.8mΩ 85nC Low gate charge Low Crss (typical 405pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 用途 APPLICATIONS 电池管理系统 BMS 封装形式 Package G D 等效电路 S Equivalent Circuit TO-220 FHP series 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 符号 Symbol 数值 Value 单位 Unit FHP150N03C 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流* Drain Current -continuous * 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current – pulse（note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current（note 1） 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） 耗散功率 Power Dissipation 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes VDS 26 V ID（TC=25℃） ID（TC=100℃) 150 96 A A IDM 500 A VGS ±25 V EAS 80 mJ IAR 85 A EAR 20 mJ dv/dt 5.0 V/ns PD （TC=25℃） -Derate above 25℃ 125 1.33 W W/℃ TJ，TSTG -55～+175 ℃ TL 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 1 Ver-1.0 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项目 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units BVDSS ID=250μA, VGS=0V 26 - - V ID=250μA, referenced to 25℃ - 0.03 - V/℃ VDS=25V,VGS=0V, TC=25℃ - - 1 μA VDS=20V, TC=125℃ - 100 μA VDS=0V, VGS =±20V - - ±100 nA 1.0 1.9 3.0 V VGS =10V , ID=40A - 2.2 4 VGS =4.5V , ID=30A - 3 6.5 VDS = 20V, ID=40A（note 4） - 90 - S 1.5 - Ω 5150 - 580 - 405 - 14 - ns 18 - ns 43 - ns 16 - ns 85 - nC 14 - nC 23 - nC - 150 A - 500 A 0.82 1.3 V 25 - ns 23 - nC 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 栅极体漏电流 Gate-body leakage current ΔBVDSS/Δ TJ IDSS IGSS（F/R） - 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance 正向跨导 Forward Transconductance VGS(th) RDS(ON) gfs VDS = VGS , ID=250μA mΩ 动态特性 Dynamic Characteristics f=1.0MHz, 栅电阻 Rg VDS OPEN Gate Resistance 输入电容 Ciss Input capacitance VDS=15V, 输出电容 Coss VGS =0V, Output capacitance f=1.0MHz 反向传输电容 Crss Reverse transfer capacitance 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 td(on) Turn-On delay time VDS=15V, 上升时间 tr ID=20A, Turn-On rise time RG=3Ω 延迟时间 td(off) VGS =10V Turn-Off delay time （note 4，5） 下降时间 tf Turn-Off Fall time 栅极电荷总量 Qg VDS =15V , Total Gate Charge ID=20A , 栅－源电荷 Qgs V GS =10V Gate-Source charge （note 4，5） 栅－漏电荷 Qgd Gate-Drain charge 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain IS -Source Diode Forward Current 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed ISM Drain-Source Diode Forward Current 正向压降 VSD VGS=0V, IS=40A Drain-Source Diode Forward Voltage 反向恢复时间 trr Reverse recovery time VGS=0V, IS=20A ,dIF/dt=100A/μs (note 4) 反向恢复电荷 Qrr Reverse recovery charge 2 pF Ver-1.0 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项目 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient 符号 Symbol 最大值 Max 单位 Unit Rth(j-c) 1.2 ℃/W Rth(j-A) 50 ℃/W 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：L=0.1mH, IAS=40A, VDD=25V, RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤150A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度 ≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=0.1mH, IAS=40A, VDD=25V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤150A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperatur 3 Ver-1.0 4 Ver-1.0 5 Ver-1.0 印记 Marking: 飞虹LOGO FEIHONG LOGO 生产批次代码 ASSEMMBLY LOT CODE 产品代码 PRODUCT CODE 产品型号 PART.NO 6 Ver-1.0 7 Ver-1.0