2N5551A

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC 产品特性 FEATURES 600mA 160V 625mW 硅外延 高开关速度 与 2N5401A 互补 RoHS 产品 Epitaxial silicon High switching speed Complementary to 2N5401A RoHS product 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 一般功率放大电路 高频功率变换 High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency power transform 封装形式 Package TO-92 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage（ IE=0） 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0） 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage（IC=0） 最大集电极直流电流 Collector Current（DC） 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) 最高结温 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 Symbol 1 数值 Value 单位 Unit VCBO 180 V VCEO 160 V VEBO 6.0 V IC 600 mA PC 625 mW Tj 150 ℃ Tstg -55~+150 ℃ ver-1.0 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 最小值 (min) 典型值 (typ) 最大值 (max) 单位 Unit IC=10μA，IE=0 180 - - V V(BR)CEO IC=1.0mA，IB=0 160 - - V V(BR)EBO IE=10μA，IC=0 - - V ICBO VCB=180V，IE=0 6.0 0- - 0.1 μA IEBO VBE=6V，IC=0 - - 0.1 μA hFE（1） VCE =5V, IC=10mA 100 - 300 - hFE（2） VCE =5V, IC=50mA 20 - - - hFE（3） VCE =5V, IC=1.0mA 40 - - - VCE(sat) IC=10mA, IB=1.0mA - 0.06 0.15 V VCE(sat) IC=50mA, IB=5.0mA - 0.09 0.3 V VBE(sat) IC=10mA, IB=1.0mA - 0.7 1.0 V VBE(sat) IC=50mA, IB=5.0mA - 0.8 1.0 V fT VCE=10V, IC=10mA 50 110 - MHz 项目 Parameter 测试条件 Tests conditions V(BR)CBO 放大倍数 hFE Classifications hFE Classifications Symbol hFE Range Y1 100-200 Y2 200-300 2 ver-1.0 典型特性曲线 Electrical Characteristics 4 Ver-1.0 印记 Marking: 产品型号 PART.N O 产品代码 Product code 放大倍数档位 HFE Classifications Symbol 生产批次代码 ASSEMMBLY LOT COD 5 Ver-1.0 外形尺寸：Package Dimension DIM MILLIMETERS A 4.55+0.20 B 14.50±0.30 C 3.54±0.20 D 4.56±0.20 E 1.30±0.20 F 0.46±0.20 G 0.50±0.10 H 0.32±0.10 N 1.30±0.20 P 2.52±0.20 （Units：mm） 6 Ver-1.0