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创作活动
C2383A

C2383A

  • 厂商:

    FEIHONG(飞虹)

  • 封装:

    TO92-3

  • 描述:

    晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1...

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C2383A 数据手册
晶体管 TRANSISTOR C2383A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC 产品特性 FEATURES 硅外延 Epitaxial silicon High switching speed 高开关速度 可与 A1013 互补• Complementary pair with A1013 RoHS 产品 RoHS product 1.0A 160V 900mW 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 一般功率放大电路 高频功率变换 High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency power transform 封装形式 Package TO-92LS 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage( IE=0) 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(IB=0) 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage(IC=0) 最大集电极直流电流 Collector Current(DC) 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) 最高结温 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 Symbol 1 数值 Value 单位 Unit VCBO 160 V VCEO 160 V VEBO 6 V IC 1.0 A PC 900 mW Tj 150 ℃ Tstg -55~+150 ℃ Ver-1.0 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 最小值 (min) 典型值 (typ) 最大值 (max) 单位 Unit IC=100uA,IE=0 160 - - V V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 160 - - V V(BR)EBO IE=10uA,IC=0 6 - - V ICBO VCB=150V, IE=0 - - 1.0 μA IEBO VEB=6V, IC=0 - - 1.0 μA HFE(1) VCE =5V, IC=10mA 60 - 320 - VCE(sat) IC=500mA, IB=50mA - - 1.5 V VBE(sat) IC=500mA, IB=50mA - - 1.2 V fT VCE=5.0V IC=200mA 20 - - MHz 项目 Parameter 测试条件 Tests conditions V(BR)CBO 放大倍数 Hfe Classifications HFE Classifications HFE Range R 60-120 O 100-200 2 Y 160-320 Ver-1.0 典型特效曲线 Electrical Characteristics 印记 Marking: 放大倍数档位 HFE Classifications 产品型号 PART.NO 生产批次代码 ASSEMMBLY LOT CODE 产品代码 PRODUCT CODE 3 Ver-1.0 外形尺寸:Package Dimension: TO-92LS DIM MILLIMETERS A 8.00±0.30 B 0.40±0.25 C 3.80±0.30 D 4.90±0.30 E 13.50±0.30 F 0.50±0.15 N 1.22±0.25 P 1.40±0.30 (Units:mm) 4 Ver-1.0
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