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创作活动
C9012A

C9012A

  • 厂商:

    FEIHONG(飞虹)

  • 封装:

    TO92-3

  • 描述:

    晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):450mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,I...

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C9012A 数据手册
晶体管 TRANSISTOR C9012A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC 产品特性 FEATURES 硅外延 高开关速度 RoHS 产品 -100mA - 20V 450mW Epitaxial silicon High switching speed RoHS product 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 一般功率放大电路 高频功率变换 High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency power transform 封装形式 Package TO-92 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage( IE=0) 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(IB=0) 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage(IC=0) 最大集电极直流电流 Collector Current(DC) 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) 最高结温 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 Symbol 1 数值 Value 单位 Unit VCBO -35 V VCEO -20 V VEBO -5 V IC -100 mA PC 450 mW Tj 150 ℃ Tstg -55~+150 ℃ Ver-1.0 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 最小值 (min) 典型值 (typ) 最大值 (max) 单位 Unit IC=-0.1mA,IE=0 -40 - - V V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -20 - - V V(BR)EBO IE=-0.1mA,IC=0 -5 - - V ICBO VCB=-25V, IE=0 - - -0.1 μA IEBO VEB=-4V, IC=0 - - -0.1 μA Hfe(1) VCE =-1V, IC=-50mA 100 - 400 - VCE(sat) IC=-100mA, IB=-5mA - - -0.3 V 项目 Parameter 测试条件 Tests conditions V(BR)CBO 放大倍数 HFE Classifications HFE Classifications Symbol HFE Range D E F G H I 64-91 78-112 96-135 112-166 144-202 188-276 2 Ver-1.0 典型特性曲线 Electrical Characteristics 3 Ver-1.0 印记 Marking: 产品型号 PART.NO 产品代码 Product code 放大倍数档位 HFE Classifications Symbol 生产批次代码 ASSEMMBLY LOT CODE 次代码 生产批次代码 ASSEMMBLYLOT CODE LOT CODE 4 Ver-1.0 外形尺寸:Package Dimension: DIM MILLIMETERS A 4.55+0.20 B 14.50±0.30 C 3.54±0.20 D 4.56±0.20 E 1.30±0.20 F 0.46±0.20 G 0.50±0.10 H 0.32±0.10 N 1.30±0.20 P 2.52±0.20 (Units:mm) 5 Ver-1.0
C9012A 价格&库存

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