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创作活动
D882B

D882B

  • 厂商:

    FEIHONG(飞虹)

  • 封装:

    TO-126-3

  • 描述:

    晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;

  • 数据手册
  • 价格&库存
D882B 数据手册
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC 产品特性 FEATURES 3A 30V 1.0W 硅外延 高开关速度 与 B722 互补 RoHS 产品 Epitaxial silicon High switching speed Complementary to B772 RoHS product 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 一般功率放大电路 高频功率变换 High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency power transform 封装形式 Package 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage( IE=0) 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(IB=0) 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage(IC=0) 最大集电极直流电流 Collector Current(DC) 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) 最高结温 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 Symbol 1 数值 Value 单位 Unit VCBO 40 V VCEO 30 V VEBO 5.0 V IC 3.0 A PC 1.0 W Tj 150 ℃ Tstg -55~+150 ℃ ver-1.0 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 最小值 (min) 典型值 (typ) 最大值 (max) 单位 Unit IC=100uA,IE=0 40 - - V V(BR)CEO IC=2mA,IB=0 30 - - V V(BR)EBO IE=100uA,IC=0 5.0 - - V ICBO VCB=35V, IE=0 - - 1.0 μA IEBO VEB=6V, IC=0 - - 1.0 μA HFE(1) VCE =2.0V, IC=1.0A 60 - 400 - HFE(2) VCE =2.0V, IC=20mA 30 - - - VCE(sat) IC=2.0A, IB=0.2A - 0.3 0.5 V VBE(sat) IC=2.0A, IB=0.2A - 1.0 2.0 V fT VCE=5.0V, IC=0.1A - 90 - MHz 项目 Parameter 测试条件 Tests conditions V(BR)CBO 放大倍数 HFE Classifications HFE Classifications Symbol R Q P E HFE Range 60-120 100-200 160-320 200-400 2 ver-1.0 典型特性曲线 Electrical Characteristics 3 ver-1.0 印记 Marking: 放大倍数档位(-P) HFE Classifications Symbol 产品型号 PART.NO 生产批次代码 ASSEMMBLY LOT CODE 4 ver-1.0 外形尺寸: Package Dimension: DIM MILLIMETERS A 10.80±0.30 B 15.00±0.30 C 2.40±0.30 D 7.60±0.30 E 0.40±0.15 F 0.70±0.15 G 1.25±0.25 O 3.15±0.25 P 1.24±0.30 N 2.30±0.30 T 0.25±0.20 DIA 宽:1.10±0.15 深:0.15±0.10 (Units:mm) 5 ver-1.0
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